场效应管及其电路433复合互补源极跟随器.PPTVIP

4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 4.3.2 共漏放大电路 图4-16是由增强型NMOS管构成的共漏放大电路，由其交流通路可知，漏极为输入、输出回路的公共端。由于信号从源极输出，故又称源极输出器。 图4-16 共漏放大电路 4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 1.静态分析 直流电路为分压式自偏压电路，其静态分析 与之相同。 2.动态分析 共漏放大电路动态分析类似于第3章中共集放大电路,略。 4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 图4-17 共漏放大电路简化H参数等效电路 其简化H参数等效电路如图4-17所示， 源极输出器电压放大倍数接近于1、输入电阻高和输出电阻低的特点，只不过源极输出器的输入电阻要比射极输出器大得多，通常可达几十兆欧。 4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 4.3.3 复合互补源极跟随器 场效应管源极跟随器的输入电阻可以做得很高，而输出电阻不是很低，且比晶体管射极跟随器的输出电阻要大得多。因为受低频跨导 的限制，输出电阻一般为几百欧姆。如果采用下图所示的复合互补源极跟随器电路，可获得较低的输出电阻，其阻抗变换系数 比场效应管源极跟随器要大得多。 4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 图4-18 复合互补源极跟随器 4.3 场效应管放大电路 第4章 场效应管及其电路 场效应管—晶体管复合互补源极跟随器可以获得较低的输出阻抗，大大提高了阻抗变换系数。如果将 增大，使 ，则电压放大倍数 ，说明该电路还可以用作放大倍数大于1的高输入阻抗的同相放大器。在一些高灵敏的测量仪器中，常采用这种电路作为仪器的输入端电路。 * 第4章 场效应管及其电路 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 4.1.1 N沟道增强型场效应管(NMOS管) 4.1.2 P沟道增强型场效应管(PMOS管) 4.2 结型场效应管(JFET) 4.2.1 结型场效应管的结构 4.2.2 结型场效应管的工作原理 4.1.3 N沟道耗尽型场效应管 4.1.4 P沟道耗尽型场效应管 4.2.3 特性曲线 4.2.4 场效应管的主要参数及使用注意事项 第4章 场效应管及其电路 4.3 场效应管放大电路 4.3.1 共源放大电路 4.3.2 共漏放大电路 4.3.3 复合互补源极跟随器 第4章 场效应管及其电路 　【本章难点 】MOS管的原理和转移特性及主要参数 场效应管的微变等效电路法 　　【本章要点】MOS管的原理、特性和主要参数 结型场效应管原理、特性及主要参数 场效应管放大电路的组成与原理 第4章 场效应管及其电路 场效应管(FET)是一种电压控制器件，它是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的。它具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点，目前已被广泛应用于各种电子电路中。 场效应管按其结构不同分为结型(JFET)和绝缘栅型(IGFET)两种，其中绝缘栅型场效应管由于其制造工艺简单，便于大规模集成，因此应用更为广泛。 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 第4章 场效应管及其电路 绝缘栅型场效应管简称MOS管，由于其内部由金属—氧化物—半导体三种材料制成，可分为增强型和耗尽型两大类，每类中又有N沟道和P沟道之分。 4.1.1 N沟道增强型场效应管(NMOS管) 1．结构 如图4-1（a）所示，在一块掺杂浓度较低的P型硅片上，通过扩散工艺形成两个高掺杂的 区，通过金属铝引出两个电极分别作为源极S和漏极D，再在半导体表面覆盖一层二氧化硅绝缘层，在源漏极之间的绝缘层上制作一铝电极，作为栅极G。 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 第4章 场效应管及其电路 (a)结构示意图 (b)电路符号 图4-1 N沟道增强型MOS管 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 第4章 场效应管及其电路 2．工作原理 (1) 栅源电压 时的情况 如图4-2所示，漏源之间为一条由半导