多孔矽蚀刻试验方法与设备.PDF

第三章 多孔矽蝕刻實驗方法與設備 3-1 前置處理 本實驗對N-type 、PN-type(上層為N-type ，下層為P-type)晶片 進行蝕刻，產生多孔矽結構再進行電鍍銀製程 。首先，取8吋與 4吋 晶圓利用鑽石切割刀，切取 3 cm x 3 cm試片，因表面接觸空氣導致 矽晶片表面產生薄氧化層，所以將矽晶片浸泡於含有 95 wt.％酒精 的燒杯中，放置於超音波震盪機內，震盪 10 分鐘，除去表面粉塵， 接下來浸泡 1:100氫氟酸和去離子水混和液中，浸泡約一分鐘，用以 除去矽晶片表面氧化層，立刻浸泡於去離子水之中，之後再利用氮氣 槍吹乾晶片與晶背，迅速放入蝕刻槽蝕刻，但盡量避免閒置於空氣中 太久，而又產生新的自然氧化層，以當場製備試片當場進行蝕刻，再 將蝕刻槽以去離子水清洗，保持蝕刻槽乾燥，接下來把銅電極板拋光 使表免去除氧化層，並且用砂紙磨平表面使表面平整，使矽基板與銅 背電極板接觸良好，這樣備製大致完成。調配蝕刻溶液 ，將酒精為溶 劑氫氟酸為溶質以HF:C2H5OH=1:3配置 ，配置蝕刻溶液會產生揮發 氣體，故 必須在抽風櫃下進行調製 。蝕刻後矽晶片形成多孔矽結構進 行電鍍製程調配電鍍溶液 ，以硝酸銀粉末添加去離子水進行調製。 3-2 多孔矽蝕刻製備 如圖一所示，蝕刻槽分上下兩部份，上半部份為圓形開口，口徑 約2.4 cm x 2.4 cm ，使得3 cm x 3 cm試片得以放置其下不至於面積 過小 ( 依照實驗者製作蝕刻槽而定 ) ，下半部份則是圓形的銅片電 極當作陽極，而在上方利用鱷魚夾懸吊黃金電極當作陰極，依照配置 液體多寡可改變其電極深度，上下部份添加塑膠 O-ring 防止蝕刻液 外流，所配置蝕刻液為 HF （濃度為 55wt.％ ）外加乙醇 （濃度為 99.5wt.％ ）稀釋（ 其視比例需要而定 ），添加乙醇降低水解時產生 的氫氣，使氣泡縮小，使多孔矽蝕刻更佳順利，避免阻礙蝕刻反應的 進行 ，使電流更平均的分布在矽晶片上 。實驗大多利用體積濃度來表 下列公式定義氫氟酸的體積濃度： 示，    HF 55%   vol. C = HF vol.       HF 55%  Alcohol 99 .5% vol. vol. 圖 3-2-1 多孔矽蝕刻槽視意圖 此蝕刻槽有別於傳統多孔矽蝕刻槽，設計上採用垂直設計 較水平， 設計更能讓產生的氣泡溢出矽晶片表面 ，使表面蝕刻平均 ，且不用為 了防止漏液以及蝕刻溶液的侵蝕，在矽晶片背後上蠟 ，而利用O-Ring 固定蝕刻範圍 ，且能夠依照實驗參數調整黃金電極與矽晶片距離 ，更 有效精確掌握蝕刻電流密度以及蝕刻的穩定度 。 3-3實驗流程 本實驗實驗流程如同3-3-1 ，將試片N-Type 、PN-type(上層為 N-type ，下層為P-type)進行裁切成 3cmx3cm試片大小 ，放入超音波 震盪器中清洗第一部分 設定恆電位儀小電流 0.002 A 、0.004 A 、 0.006A 定電壓 進行陽極電化學蝕刻 數位相片 SEM 反射率 PL I-V curve量測 。 第二部分 試片清洗 電源供應器 (GPS-3303)大電流0.01 A 、0.02 A 、0.03 A 、0.04 A 、0.05 A 、0.06 A 、0.07 A 、0.08 A 、0.09 A 、 0.10 A 數位