氧浓度对MS法制备的ZnOSb薄膜的光学性能影响-重庆师范大学.PDF

! #$# 年% 月 重庆师范大学学报（自然科学版） ’( #$# 第) 卷 第* 期 +,-./’0 ,1 23,/456/4 7,.8’0 9/6:;.6=(（7’=-.’0 ?6;/?; ） @,0A ) 7,A * BCD ：$# A *EFEG +A D7A $F)H FFE*A #$# A #*A #$E 氧浓度对 法制备的I/C ：J 薄膜的光学性能影响! 朱绍平，马! 勇，房! 燕，张爱民 （重庆师范大学 物理与电子工程学院，重庆K###K) ） 摘要：在玻璃衬底上以I/HJ 合金靶为靶材，采用射频反应磁控溅射法制备出具有良好 2 轴取向的I/C ：J 薄膜。 用L 射线衍射仪、分光光度计和荧光发光光度计等测试手段分析了J 掺杂I/C 薄膜的晶体结构和光学性质。薄膜 在7 气中%%# M 退火后的L 射线衍射谱表明：J 掺杂I/C 薄膜主要沿I/C 的（## ）方向生长，没有检测到其它杂 质相的生成。退火前，薄膜的光学带隙随氧浓度的增大而增大，退火后薄膜光学带隙减少。薄膜的室温光致发光谱 中有较强的蓝光发射峰，并对蓝光的发射机理作了分析：蓝光（KN) /8 左右）的发射与锌填隙（I/6 ）和锌空位（@I/ ） 缺陷能级有关，还与J* O 离子提供了相应的蓝光中心有关；蓝光峰（K*F /8 左右）的发射与锌填隙缺陷能级和氧空 位（@C ）形成的浅施主能级有关，这些蓝光峰的出现对于开发出单色蓝光发光器件有重要意义。 J 掺杂I/C ；射频磁控溅射；透射率；光致发光；氧浓度 关键词： 中图分类号： P7*#K A #%% ；P7*#K A 文献标识码：Q! ! ! 文章编号：$F)H FFE*（#$# ）#*H ##))H #K ! ! I/C 薄膜作为一种新型的宽禁带氧化物半导体 所用靶材为I/HJ 合金靶，其中J 的含量占%U=V ， 材料，因性能优异、应用广泛和价格低廉等优势，近 靶材纯度EE A EEV ；溅射气氛为 C 与Q. 的混合气 年来引起了人们的广泛关注。I/C 薄膜具有很好的 体，气体纯度达EE A EEEV 以上。本底真空为NA # W 光电、压电、光敏、压敏等特性。它的外延生长温度 $# X K R’ ，溅射时的压强保持$A * R’ 不变 ，溅射功率 较低，有利于降低设备成本，抑制固相外扩散，提高 保持N# U 不变，在氧浓度分别为#V 、*#V 、F#V 条 薄膜质量，也容易实施掺杂。I/C 薄膜室温下的禁 件下生长薄膜。溅射时间为 $# 86/ ，衬底采用 带宽度为*A *) ;@ ，激子束缚能F# 8;@［$］，是一种 % 88 W % 88 的玻璃。样品都在7 气中%%# M 退 很好的短波长发光材料，随着对I/C 发光特性研究 火$ 3 。使用Q8J6, 公司的LRH$ 台阶仪对薄膜的 的不断深入，不同波长的蓝光发射已有一些报道，如 厚度进行测量，台阶仪的台阶高度重复率为 $ /8 ， ［ ］ ［* ］ KKF /8 和K*# /8 处的蓝光发射，还有 J 掺杂 竖直分辨率G 量程分别为# A $% /8G $# !8 、$A % /8G ［K ］ I/C 单晶中心波长位于KNE /8 的蓝光发射 等，这 $## !8 、F A /8G K## !8 。采用岛津LYBHF##L 射线 些对研发出蓝光发光器件有重要意义。 衍射仪表征晶相，衍射角! 变化范围为%Z [ )%Z ， I/C 薄膜的制备方法很多，如超声喷雾热分解 步长为# A # Z 。采用\DPQ2\D（日立）公司的9HK $## ［% ］ ［F