掺杂nc-SiH薄膜中纳米硅晶粒的择优生长.pdfVIP

2003 年 9 月 北 京 航 空航 天 大 学 学 报 september 2003 第 卷 第 期 29 9 JournaI of Beijing University of Aeronautics and Astronautics VoI .29 No.9 掺杂 ： 薄膜中纳米硅晶粒的择优生长 nc-si H 韦文生 王天民 （北京航空航天大学 理学院，北京 100083） 张春熹 （北京航空航天大学 宇航学院，北京 100083） 李国华 （中国科学院 半导体研究所，北京 100080） 摘 要：发现 生长的系列掺杂氢化纳米硅（ ：）薄膜中纳米硅 PECVD nc-si H 晶粒（ ）有择优生长的趋势 用 、 、 、 等方法研究其微观结构 nc-si . Raman XRD AFM HRTEM 时发现：掺磷的 ： 薄膜 峰位的二倍衍射角约为 掺硼 ： 薄膜的 nc-si H XRD 33 . nc-si H XRD 峰位的二倍衍射角约为47 . 用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析 得到：较高的衬底温度引起序参量改变，使掺磷 ： 薄膜中 的晶面择优生 nc-si H nc-si 长 适当的电场作用引起序参量改变，导致掺硼 ： 薄膜在一定的自由能密度范 . nc-si H 围内nc-si 的晶面择优生长. 关 键 词：掺杂；电场；温度；择优生长； ： 薄膜；纳米硅晶粒 nc-si H 中图分类号： ； + ； 0 613 .72 0 613 .8 1 0 613 .62 文献标识码： 文 章编 号： （ ） A 1001-5965 2003 09-0753-06 Preferred growth of nanosized crystal silicon in doped hydrogenated nanocrystalline silicon film Wei Wensheng Wang Tianmin （