掺铈硅酸镥(Lu2SiO5Ce)晶体的生长与闪烁性能.pdfVIP

Vol 2 第18卷第2期 无机材料学报 18，No Journalof Materials Mar，2003 2003年3月 Inorganic 文章编号：1000—324X(2003)02-0269-06 掺铈硅酸镥(Lu2Si05：Ce)晶体的生长与闪烁性能 任国浩，王绍华，李焕英，陆 晟 (中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地，上海201800) 摘要：用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为妒35mmx40mm的掺铈硅 酸镥(LSO：Ce)闪烁晶体．透射光谱表明，由于铈离子的掺入，使晶体的吸收边由纯LSO晶体 的195rim红移至380mmLSO：Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、 319和216nm，其光发射为带状谱，波长覆盖范围从390nm至560rim，X射线激发的发射谱具 有典型的双峰特征，峰值波长为393nm和426nm．这些特征与Ce3十离子基态能级4，1网自旋 一轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce3+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有 关． 关键词：硅酸镥；光透射；激发；发射 中图分类号：O782 文献标识码：A 1引言 除高能物理外，核医学成像技术已成为闪烁晶体的又一重要应用领域．作为核医学用 闪烁晶体，不仅是含有重元素的宽带隙绝缘体，而且其发光中心必须是允许跃迁、能级结 构中的非辐射衰减降低至最低限度．在有限的激活中心离子中，ce3+离子的5d_÷4，能级 跃迁是允许的，其荧光寿命只有几十纳秒，能隙宽度高达30000cm一，因此成为一个最佳的 激活中心．如果再考虑晶体生长过程对材料的限制，如一致熔融、晶体在冷却过程中无相 转变等要求，人们便把Ce离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiOs：Ce)晶体视作最具应用前景的新型闪 烁体㈦ 掺ce硅酸镥(LSO：Ce)材料最初是作为阴极射线管用磷光粉进行研究的．1990年， 适合于高能7射线的快速探测，因而被认为是迄今为止综合性能最好的闪烁体．自1992年 发现以来吼已对其闪烁性能进行了广泛研究．目前，美国的CTI公司【3】、Texas大学西 体的生长实验和性能研究h我国上海光机所吴光照先生曾于1996年首先在国内用提拉法 表征．本文以我们新近生长的LSO：Ce晶体为研究对象，对晶体的透光性能、激发和发射光 谱等进行了比较全面的研究，并且与国际上其它单位生长的同类晶体进行了比较和评述． 收稿日期：2002—04—26，收到修改稿日期；2002-06—28 基金项目：上海市科技发晨基金(011461062) accn 作者简升，任崮浩(1961一)。男t博士．E-mail：rgh@mail．sic 270 无机材料学报 18卷 2实验 1：o．005的摩尔比准确配料，经均匀混合后在200MPa的压力下压制成≯50mm的料锭，再在 马釜炉中烧至Ii00。C，保温6h．以获得体密度较大，且已经转化成LSO的多晶烧结体· 采用提拉法晶体生长技术．生长装置为 法国Cyberstar公司生产的感应加热单晶提拉 炉．先将炉腔抽至一o．01MPa以上的真空，然 后充入高纯氮气．由于LSO晶体的熔点高达 2050—21000C，需采用铱坩埚和氧化锆内衬保温 材料．首次提拉采用铱丝作籽晶和tj580mm的铱