提拉法TmYAG晶体的生长缺陷研究.pdfVIP

第20卷第4期 无机材料学报 2005年7月 Journalof Materials Inorganic 文章编号：1000—324X(2005)04—0869-06 提拉法Tm：YAG晶体的生长缺陷研究 宋平新1，一，赵志伟1，徐晓东1,2，邓佩珍1，徐军1 (1．中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800；2．中国科学院研究生院， 北京100039) 摘 退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究．Tm：YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形． 线衍射法测定了晶体的完整性．实验结果表明，长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中 总的位错密度，提高了晶体质量． 关 键 词：Tm：YAG晶体；化学腐蚀；位错；退火 中图分类号：O77 文献标识码：A 1引言 测距、环境监测、生物工程、微加工以及医疗等方面都有重要的应用前景【112】．相干激光雷达 起一个泵浦光子产生两个激光光子，因而泵浦的量子效率约为2【3|．优异的热力学和机械性 成为广泛研究、最具发展潜力的激光晶体之一，可用作高效、高功率及Q调节固体激光增 益介质． 生长缺陷的研究，就已查阅的文献结果来看还未见有关报道．缺陷的研究对于激光晶体材 料来说是非常重要的．晶体中缺陷的存在会直接影响到激光材料的光学均匀性、光损耗、 进和完善晶体生长工艺，提高晶体质量，改善晶体的激光性能是十分必要的． 了测试． 收稿日期：2004—05—28，收到修改稿日期：2004—08—12 E—mail：songpx2003@yahoo．corn．cn 作者简介：宋平新(1977-)，女，博士研究生． 通讯联系人：赵志伟．E—mail：ZZW8006@sina．com 870 无机材料学报 20卷 2实验 2．1晶体生长和退火处理 色，尺寸为≯25mm×70ram． 用x射线晶体定向仪对毛坯晶体准确定向．在晶体的等径部位垂直于晶体生长方向切 的空气气氛中退火25h．退火后晶片的颜色变浅． 2．2化学腐蚀及显微观察 85％的H3P04溶液中3200C15min进行化学抛光，以除去表面的机械划痕．将化学抛光后 在德国Leitzoptical 微镜下观察了退火前后Tm：YAG晶体(111)面的应力双折射． 2．3四圆衍射实验 MRD型号，Philips)实验． 3结果和讨论 3．1晶体的腐蚀坑形貌 图1Tm：YAG晶体退火前后位错蚀坑的光学显微照片 ofdislocationofTm：YAGslices Opticalmicroscopic etch—pits Fig．1 images air—annealing (a)As-grown；(b)After 蚀坑．为进一步证实观察到的腐蚀坑即为晶体中存在的位错，根据位错不能终止在晶格中 间，但可 在晶体表面的特征，将观察后的晶片重新细磨抛光，在相同的条件下再次 4期 化学抛光和腐蚀后得到的腐蚀形貌与先前观察到的几乎没有区别．这表明晶片表面得到的 腐蚀坑确为位错在晶体表面的露头点． 不仅与晶体结构和位错类型有关，还和腐蚀表面和位错走向间夹角有关．从图1中可以看出 体结构有密切关系．位错蚀坑取向相同．未经退火处理的样品(a)表面上出现了大、中、小 三种位错腐蚀坑．退火后样品(b)表面主要出现中、小两种位错蚀坑，很少见到大的位错蚀 位错密度约低一个数量级． 从多块样品的腐蚀形貌图中我们发现同一晶片的不同区域，位错的分布是不均匀的． 边缘部位和近中心部位位错蚀坑光学显微照片．其密度在晶片的中心部位约为5×103cm～， 离晶片中心的距离越远，位错密度越大，在晶片边缘部位约为1×105c