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有机半导体材料蒽薄膜的生长.pdf
《半导体光电》2008年10月第29卷第5期 李建丰等： 有机半导体材料蒽薄膜的生长
有机半导体材料蒽薄膜的生长
李建丰1’2，李东仓1，欧谷平1，张福甲1
(1．兰州大学物理与科学技术学院．甘肃兰州730000；
2．兰州交通大学数理与软件工程学院。甘肃兰州730007J
摘要： 利用常规的真空蒸发技术，在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微
镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察，研究了蒸发沉积蒽膜
时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式，并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态。
结果显示：蒽膜生长时，蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长，即蒽首先形成许多三维岛状的晶
核，核长大增高为岛，然后在蒽离域大7c键的作用下，相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠，岛与
岛相互连接构成岛的通道，最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜。
关键词： 葸薄膜；生长模式；SEM；AFM；XRD
中图分类号：TN304文献标识码：A
ThinFilm of
Growth SemiconductorAnthracen
Organic
LI
Jian-fen91”，LIDong—can91，OUGu-pin91，ZHANGFu-jial
of 730000，CHN；
(1．DepartmentPhysics，LanzhouUniversity，Lanzhou
2．Schoolof 730070，CHN)
Mathematics，PhysicsSoftwareEngineering，LanzhouJiaotongUnlversity，Lanzhou
thin
Abstract：Thefilmsof semiconductoranthracenwerefabricatedon
organic Si02
substrate vacuumsublimation．Thesurface and of
bytraditionary morphology，nucleationgrowth
anthracenthinfilmwerestudied aseriesof underdifferent
byobserving samplesgrown depositing
timeswithSEMand indicatesthatthe
AFM．It modeofanthracen onto
growth deposited
Si02substratesfollowstheVolmer-Weber moleculesformlots
mode，namely，firstly，anthracen
ofthree-dimensionalisland—likeanthracen nuclei into
nuclei，and th
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