温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响.pdfVIP

第29卷第6期 深圳大学学报理工版 V01．29No．6 0F 2012年11月 JOIJRNALsHFNZHFNUNIvERSTTYSCIENCEANDENCINEERING Nov，2012 【光电工程／optoelectronicEngineering】 0日 |Ⅱ 度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响 武红磊，郑瑞生，闰 征，李萌萌，郑 伟 深圳大学光电工程学院，光电子器件与系统教育部重点实验室，广东省光电子器件与系统重点实验室，深圳518060 摘 要：研究升华法制备氮化铝晶体过程中，生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响．结果表明， 当升华区与结晶区之间的温差较大时，氮化铝晶体的生长方向为c轴方向，显露面为c面；反之，温差较 小时，氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的n轴方向，显露面为m面．同时，生长区域温度场分布还影 响晶体的生长尺寸和质量．在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中，通过精确控制升华区与结晶区之 间的温度场，实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备，并对样品进行测试分析． 关键词：半导体材料；氮化铝；升华法；非极化；温度场；晶体生长 中图分类号：O782 文献标识码：A doi：10．3724／SP．J．1249．2012．06487 Effectof distribution temperature on habitofAlN growth crystal WU Hong-lei，ZHENGRui．sheng’，YANZheng， LI Wei ZHENG Meng-meng，and of of Devices粕d0f of College0ptoelectronicEngineering，KeyLabomtoryOptoelectronicSystemsMinistryEducation， of Devicesand of KeyLaboratory Systems Pmvince，Shenzhen 0ptoelectronic Guangdong UIlive璐i哆， Shenzhen518060．P．R．China of on e虢ct dist曲utionAlNsublimationunion habithasbeenstudied Abstmct：111e gro叭h temperature to鲫帆h inthis the difkrencebetweensublimationand paper．Withla唱ertemperature regioncrystallinere舀on，thegro砒h directionofAlNwas c—axis．Onthe the directionwas the contrary， Meantime，