温度循环条件下镀层表面的Sn须生长行为.pdfVIP

张金橙等：温度循环条件下镀层表面的sn须生长行为 温度循环条件下镀层表面的Sn须生长行为’ 张金松，李娟娟，吴丰顺，朱宇春，安兵，吴懿平 (华中科技大学武汉光电国家实验室。湖北武汉430074) 摘要：采用T0220封裴的电子元件，研究了在温条件。为sn须的产生提供了直接的驱动力“”]． 度循环条件下．元件cu引脚上纯sn镀层的Sn须生 当Sn电镀在Cu基体上时，在室温条件下就会在 长行为．研究发现，Sn须在温度循环务件下的生长呈 现出较高速率、较高密度、较一致长度的特点．随着温 Cl】‘S115随时间的不规则生长能够提供Sn须生长的压 度循环次数的增加。Sn须密度和长度不断增加f与此 应力．此外，温度循环条件下电子器件的cTE失配． 同时，镀层表面sn须的附近区域出现凹坑．研究表 也会产生压应力．尤其是当基体材料的cTE与sn的 明，CmSn金属阍化合拍的生长速率很快，使得镀屡内 部压应力增大，Sn须生长驱动力增加I同时。不同材料 大o“]．在Sn镀层内部不断形成的压应力，由于无法 热失配产生的低周疲劳热应力，为Sn须的生长提供了 通过扩散等固态相变机制在内部得到消除，进而逐渐 额外的驱动力．此外，交变的热应力更容易破坏表面 累积；当压应力聚集到一定的程度，会在一定的条件下 氧化膜促进Sn须的生长．满足应力条件和取向条件 (镀层表面氧化膜破裂)形成连续的释放，从而推动Sn 的晶粒首先发生Sn须生长，高密度的Sn须生长诱发须在镀层内部的某些区域形核，并在镀层表面氧化膜 部分晶粒发生向内的变形，在镀层表面形成大量的凹 破裂处首先生长出来o]． 坑。 关键词：纯Sn镀层；Sn须；温度循环；热应力 的Sn须加速测试方法．探讨了温度循环下的Sn须的 中围分类号： TB331：TGll3文献标识码：A 生长行为． 文章编号：1001—9731(2007)1l一1837一04 2实验 1引言 本试验中的样品采用了T0220封装的电子元件， 当今全球电子产品元铅化的进程．使得越来越多 的电子产品使用以纯sn或富sn的元铅合金作为封装 材料．由于无铅的sn基台金会自发形成sn须，因此， 样制备采用标准的生产工艺流程：引线框架冲压成 sn须现象成为研究的热点．目前，电子产品的封装材 型——塑封——电镀纯Sn——后烘．试样采用高速 料主要有42台金(Fe／Nj台金)和cu基合金。功率器 挂镀的方法在引脚表面电镀了一层纯Sn，XRF(X荧 件封装中通常使用cu基台金。在其引cu脚表面电镀光光谱仪)测量的镀层厚度为8～12pm．电镀完成后 一层纯sn，厚度为几微米至十几微米．无数的事实表 的样品，在烘箱中大气气氛、150℃。退火1h．然后参 明，在室温贮存条件下，一般经过几个月或者是更长的 时间，sn镀层表面都发现了sn须的自发生长现象． 长的加速实验．参见表1。 iNEMI组织定义典型的Sn须是从金属基体镀层 (厚度为O．5～50pm)表面上生长出来的纤维状单晶体 或多晶体，其半径一般为1～5pm，长度可从l～500pm 不等[1。∞． 已有的研究指出，sn须生长的机制及其影响因素 并不十分明确。经典的理论认为，Sn须形成的驱动 力是sn镀层内部的压应力．压应力可能来源于镀层 的内部结构，金属同化合物的形成，或是机械方法导致 的，比如弯曲，弯曲成型，热机械应力，或者是表面上氧 圈l Sn须加速实验的样品(T0220封装) 扩散和／或氧化物形成}sn镀层表面的Sn晶粒腐蚀也 1Whiskeraccelerated test inT0220 Fig 5ample pack— 是另一个可能来源．压应力是所有Sn须形成的必要