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温度梯度法生长NdYAG激光晶体的核心分布.pdf
第56卷第2期2007年2月 物理学报
1000．．329012007156(02)11014．．06AC’I’APHYsICAsINICA ⑥2007Chin．Phys．Soc．
姜本学1)2’徐 军1)+李红军1’ 王静雅1’ 赵广军1’ 赵志伟1’
1)(中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800)
2)(中国科学院研究生院，北京100049)
(2005年12月31日收到；2006年9月17日收到修改穰)
用温度梯度法生长了直径为75IIMll大尺寸的Nd：YAG激光晶体，通过退火排除了生长过程中进入晶体的碳原
子．用正交偏光显微镜观察了晶体的核心分布以及生长条纹．测试了室温下的吸收谱并利用吸收谱研究了Nd离
子在YAG晶体中的分布．比较了温度梯度法与提拉法生长晶体的区别．
关键词：材料，缺陷，温度梯度法，Nd：YAG
PACC：6150E，8110F
表1两种抽运条件下Nd：YAG和Nd：GGG晶体的
1．引 言 可提取能量P“l，。．。。
高平均功率(HAP)输出的固体激光器(SSL)在
工业、科学和军事等领域都有着非常诱人的应用前
景n_6]．设计高平均功率固体激光器的主要的挑战
由于传统的提拉法(Cz)无法生长大尺寸无核心
有两个：如何获得大尺寸高质量激光晶体以及对抽
Nd：YAG晶体，所以国内外将研究的重点放在了
运过程中产生的无法避免的废热进行处理．其中大
尺寸高质量激光晶体的获得是一个非常重要的发展
的出现，使得高平均功率固体激光器得到长足的发
方向．
展．但是我们知道，Nd：YAG晶体的热导率，吸收截
根据盘片的热应力极限，可以计算出当激光输
出为连续或者准连续时，四能级的粒子的可提取能
生长过程中不存在组分挥发问题，晶体的缺陷较少．
量为‘51
所以用新工艺生长大尺寸高质量Nd：YAG激光晶体
B‘1)抛，
fil
P删，。，一=(7r／4)(3mbr／。，。。妒d声d3 的研究具有重要的战略意义和社会价值．
(1)
mm
本文我们用温度梯度法(7rGT)生长了声75
式中册为抗热振参数，b为安全因子(设计的
的Nd：YAG晶体，研究了核心分布并与Cz生长晶体
张应力与断裂应力之比，一般取0．25—0．5)，叩。为
进行了比较．
增益介质的上能级效率，，。为饱和增益强度，妒。为
占空比，声为ASE参数，d为增益介质的直径，．厂h为2．实 验
热分数，对于四能级系统B=1．从(1)式中可以看
出，盘片激光的最大可提取能量与盘片直径的1．5
2．1．Cz与TGT生长晶体
次方成正比．用N=4，d=5cm，L=0．25cm，计算
出的P州。一，一列入表1中b1．在相同的抽运条件
下，相同的晶体尺寸下，Nd：YAG晶体的输出功率比用的方法之一．首先将合成的原料装入铱坩埚中，
Nd：GGG晶体大
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