热氧化生长的SiO2钝化膜对晶体硅太阳电池性能的影响.pdfVIP

第33卷第2期 太阳能学报 V01．33．No．2 2012年2月 ACTAENERGIAESOIARISSINICA Feb．。2012 文章编号：0254-0096(2012)02-0270-03 热氧化生长的Si02钝化膜对晶体硅 太阳电池性能的影响 叶发敏1，冯仕猛1，郭爱娟1，熊胜虎2 (1．上海交通大学物理系，上海200240；2．上海交大泰阳绿色能源有限公司，上海200240) 摘 要：使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO：钝化膜。结果表明：在780。C下生长的氧化薄膜 钝化效果较好，实验检测少子寿命提高了8．3斗s，以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17．38％。实验还对氮 气气氛下的氧化进行研究，发现当氮气流量为10L／min时，能强化薄膜的钝化效果，少子寿命可提高9．4p,s。 关键词：晶体硅；太阳电池；钝化；干氧氧化；表面复合 中图分类号：TM914．4文献标识码：A 法生长SiO：薄膜。虽然干氧氧化的生长速率较慢， 0 引 言 但生长的SiO：薄膜结构致密、均匀，重复性好，钝化 目前，高效率的单晶硅太阳电池是光伏电池领 效果好。而SiO：薄膜的钝化效果与SiO：薄膜的质 域的热门研究之一。硅表面复合速率较高，严重制 量密切相关，若其缺陷密度大或污染严重，不但起不 约单晶硅太阳电池的光电转换效率，通过晶体硅表 到表面钝化作用，反而会严重影响电池性能。因此， 面的钝化技术可降低晶体硅表面复合速率，从而提 如何有效控制各项实验参数，生长出适当的SiO：钝 高晶体硅太阳电池的光电转换效率。传统的表面钝 化膜，是今后太阳电池研究的热点。 化技术使用PECVD法¨o在硅表面沉积一层氮化硅 1 实 验 薄膜，但热氧化方法生长的SiO：薄膜与衬底硅的晶 格系数更加匹配，钝化效果更佳。 本实验样品为P型太阳能级单晶硅片，厚度200— 国内外学者做了大量有关晶体硅太阳电池表面 具体实验步骤如下：①清洗样品，去除硅片切割时造 钝化技术的研究。半导体硅表面存在大量悬挂键、 成的表面损伤；使用NaOH和IPA等混合溶液对样 断键等不饱和键拉o，容易在禁带形成复合中心能级， 品进行表面制绒，在表面形成金字塔结构；②将样品 加大载流子在表面复合消失速率，严重影响少子寿 放入扩散炉，利用扩散工艺形成pn结，经测试，样品 命，从而降低电池光电转换效率。而表面钝化能很 好地去除这些复合中心，降低硅的表面态密度¨1，从 洗去样品表面的磷硅玻璃后，进行等离子腐蚀刻边 而降低载流子的表面复合速率。在文献[4，5]中，使 工艺，除去样品周边的扩散层，保证pn结分离；③根 用热氧化法在晶体硅表面生长一层良好的SiO：薄 据不同的实验条件，分组对样品进行氧化处理；④使 膜并将其作为钝化层。这样可有效消除硅的表面 用PECVD法在样品表面沉积氮化硅减反射膜；⑤在 态，减少非平衡少数载流子在表面的复合损失M，7|。 样品表面丝网印刷金属电极，然后高温烧结，最终制 本文在上述研究的基础上，针对晶体硅太阳电 备成晶体硅太阳电池。 池表面热氧化生长SiO：钝化膜的技术展开了具体