第四章 晶体二极管与晶体三极管.docVIP

第四章 晶体二极管与晶体三极管 本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。 第一节 晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法 中华人民共和国国家标准（GB249-74） 国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。 表4-1 国标半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件电极数目 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字表示器件的序号 汉语拼音字母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N型锗材料 P 普通管 D 低频大功率管 B P型锗材料 V 微波管 A 高频大功率管 C N型硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管 D P型硅材料 C 参量管 X 低频小功率管 Z 整流管 G 高频小功率管 3 三极管 A PNP型锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管 B NPN型锗材料 S 隧道管 CS 场效应管 C PNP型硅材料 N 阻尼管 BT 特殊器件 D NPN型硅材料 U 光电器件 FH 复合管 E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN管 B 雪崩管 JG 激光器件 Y 体效应管 备注 低频小功率管指截止频率3MHZ、耗散功率1W，高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率1W，低频大功率管指截止频率3MHZ、耗散功率≥1W，高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。 例如锗PNP高频小功率管为3AG11C３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号） 二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示用途的类别 用数字表示PN结的数目 美国电子半导体协会（EIA）注册标志 美国电子半导体协会（EIA）登记顺序号 用音字母表示器件分档 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 JAN或J 军用品 1 二极管 N 该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号 多位数字 该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号 ABCD 同一型号不同档别 2 三极管 无 非军用品 3 3个PN结器件 4 N个PN结器件 三、日本半导体器件型号命名方法 表3 日本半导体器件型号命名方法 第一部分：器件类型或有效电极数 第二部分：日本电子工业协会注册产品 第三部分：类别 第四部分：登记序号 第五部分：产品改进序号 数字 含义 字母 含义 字母 含义 用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号 用字母A、B、C、D……表示 对原来型号的改进 0 光敏二极管、晶体管或其组合管 S 表示已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体分立器件 A PNP型高频管 B PNP型低频管 C NPN型高频管 D NPN型低频管 1 二极管 F P门极晶闸管 2 三极管或具有两个pn结的其他器件 G N门极晶闸管 3 具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管 H N基极单结晶体管 J P沟道场效应管 K N沟道场效应管 M 双向晶闸管 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 2）反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 3）击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 图4-2 晶体二极管伏安特性曲线 2.晶体二极管的分类与图集 　　 按材料分为两种：一是硅二极管，二是