半导体器件物理习题与参考文献.docVIP

第一章习题 1–1．设晶格常数为的一维晶体，导带极小值附近能量为： 价带极大值附近的能量为：式中为电子能量，，试求： （1）禁带宽度； （2）导带底电子的有效质量； （3）价带顶空穴的有效质量。 1–2．在一维情况下： （1）利用周期性边界条件证明：表示独立状态的值数目等于晶体的原胞数； （2）设电子能量为，并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向，试证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数为。 1–3．设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为，横向有效质量为 （1）如果外加电场沿[100]方向，试分别写出在[100]和[001]方向能谷中电子的加速度； （2）如果外加电场沿[110]方向，试求出[100]方向能谷中电子的加速度和电场之间的夹角。 1–4．设导带底在布里渊中心，导带底附近的电子能量可以表示为 式中是电子的有效质量。试在二维和三维两种情况下，分别求出导带附近的状态密度。 1–5．一块硅片掺磷原子。求室温下（300K）的载流子浓度和费米能级。 1–6．若型半导体中（a），式中为常数；（b）推导出其中的电场。 1–7．（1）一块硅样品的，，，计算它的电导率和准费米能级。 （2）求产生个空穴的值，它的电导率和费米能级为若干？ 1–8． 一半导体，以及，计算300 时（室温）的准费米能级。 1–9．（1）一块半无限的型硅片受到产生率为的均匀光照，写出此条件下的空穴连续方程。 （2）若在处表面复合速度为，解新的连续方程证明稳定态的空穴分布可用下式表示 1–10．由于在一般的半导体中电子和空穴的迁移率不同的，所以在电子和空穴数目恰好相等的本征半导体中不显示最高的电阻率。在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？如果，最高电阻率的半导体是N型还是P型？ 1–11．用光照射型半导体样品（小注入），假设光被均匀的吸收，电子-空穴对的产生率为G，空穴的寿命为，光照开始时，即，试求出： （1）光照开始后任意时刻的过剩空穴浓度； （2）在光照下，达到稳定态时的过剩空穴浓度。 1–12．施主浓度的型硅。由于光的照射产生了非平衡载流子，试计算这种情况下准费米能级的位置，并与原来的费米能级做比较。 1–13．一个N型硅样品，，空穴寿命为。在它的一个平面形的表面有稳定的空穴注入。过剩空穴浓度，试计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于？ 第二章习题 2-1．结空间电荷区边界分别为和，利用导出一般情况下的表达式。给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。 2-2．根据热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，推导方程 。 2-3．根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明，在外加正向偏压V作用下，PN结N侧空穴扩散区准费米能级的改变量为。 2-4． 硅突变结二极管的掺杂浓度为：，，在室温下计算： （1）自建电势（2）耗尽层宽度 （3）零偏压下的最大内建电场。 2–5．若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级，则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示 试推导这些表示式。 2–6．推导出线性缓变PN结的下列表示式：（1）电场（2）电势分布（3）耗尽层宽度（4）自建电势。 2-7．推导出结（常称为高低结）内建电势表达式。 2-8．（1）绘出图2-6a中的扩散结的杂质分布和耗尽层的草图。解释为何耗尽层的宽度和的关系曲线与单边突变结的情况相符。 （2）对于的情况，重复（a）并证明这样的结在小的行为像线性结，在大时像突变结。 2-9． 对于图2-6（b）的情况，重复习题2-8。 2–10．（1）PN结的空穴注射效率定义为在处的，证明此效率可写成 （2）在实际的二极管中怎样才能使接近1； 2-11．长PN结二极管处于反偏压状态： （1）解扩散方程求少子分布和，并画出它们的分布示意图 （计算机解）。 （2）计算扩散区内少子贮存电荷。 （3）证明反向电流为PN结扩散区内的载流子产生电流。 2-12． 若PN结边界条件为处，处。其中和分别与与具有相同的数量级，求、以及、的表达式（计算机解）。 2–13．在结二极管中，N区的宽度远小于Lp,用（ S为表面复合速度）作为N侧末端的少数载流子电流，并以此为边界条件之一，推导出载流子和电流分布。絵出在S＝0和S＝时N侧少数载流子的分布形状。 2-14．推导公式（2-72）和（2-73）。 2–15．把一个硅二极管用做变容二极管。在结的两边掺杂浓度分别为以及。二极管的面积为100平方密尔。 （1）求在和时的二极管的电容。 （2）计算用此变容二极管及的储能电路的共振频率。 （注：（密耳）为长度单位，（英寸）） 2-16．用二极管恢复法测量二极管空穴寿命。 （1）对于和，在具有上升时间的示波器上测得，求。 （2）若（a）中快速示