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国外集成电路命名方法(三)
国外集成电路命名方法(三)
(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)
缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)
器件型号举例说明
NE
5534
N
首标
器件编号
封装
当有第二位字母时
表示温度范围:
?
CK:芯片;
表示引线数
75、N、NE:(0~70)℃
?
D:微型(SO)塑料;
B:3;
(0~75)℃;
?
E:金属壳(TO-46,TO-72)
C:4;
55、S、SE:
?
4线封装;
E:8;
(-55~125)℃;
?
F:陶瓷浸渍扁平;
F:10;
SA:(-40~85)℃;
?
G:芯片载体;
H:14;
SU:(-25~85)℃。
?
H:金属壳(TO-5)
J:16;
?
?
8、10线封装;
K:18
?
?
I:多层陶瓷双列;
L:20;
?
?
K:TO-3型;
M:22;
?
?
N:塑料双列;
N:24;
?
?
P:有接地端的微型封装;
Q:28;
?
?
Q:多层陶瓷扁平;
W:40;
?
?
R:氧化铍多层陶瓷扁平;
X:44;
?
?
S:功率单列塑封;
Y:48;
?
?
W:陶瓷扁平。
Z:50。
同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。
缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)
器件型号举例说明(与欧共体相一致)
TB
B
1458
A
GG
首标
温度范围
器件编号
改进型
封装
第一字母表示:
A:没规定范围;
?
?
首位字母表示封装形式:
S:单片数字电路;
B:(0~70)℃;
?
?
C:圆壳;
T:模拟电路;
C:(-55~125)℃
?
?
D:双列直插;
U:模拟/数字混合
D:(-25~70)℃;
?
?
E:功率双列(带散热片);
电路。
E:(-25~85)℃;
?
?
F:扁平(两边引线);
第二字母,除H
F:(-40~85)℃。
?
?
G:扁平(四边引线);
表示混合电路外,
?
?
?
K:菱形(TO-3);
其它没明确含义。
?
?
?
M:多列引线(双、三、四列
电路系列由两字母加以
?
?
?
除外);
区分。
?
?
?
Q:四列直插;
?
?
?
?
R:功率四列(带散热片);
?
?
?
?
S:单片直插;
?
?
?
?
T:三列直插。
?
?
?
?
第二位字母表示封装材料:
?
?
?
?
C:金属-陶瓷;
?
?
?
?
G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍);
?
?
?
?
M:金属;
?
?
?
?
P:塑料。
?
?
?
?
(半字符以防前后符号混淆)
缩写符号:THEF 译名:汤姆逊公司(法)
器件型号举例说明(与欧共体相一致)
TD
B
0155
A
DP
XX/XX
首标
温度范围
器件
改
封装
附加资料
第一字母表示:
A:没规定范围;
编号
进
第一字母表示封装形式:
?
S:数字电路;
B:(0~70)℃;
?
型
C:圆形;
?
T:模拟电路;
C:(-55~125)℃;
?
?
D:双列;
?
U:模拟/数字混
D:(-25~70)℃;
?
?
E:功率双列;
?
合电路。
E:(-25~85)℃;
?
?
F:扁平(两边引线);
?
第二字母有A、
F:(-40~85)℃。
?
?
G:扁平(四边引线);
?
B、C或H。
?
?
?
K:TO-3型;
?
?
?
?
?
M:多列引线(多于四排)
?
?
?
?
?
Q:四列引线;
?
?
?
?
?
R:功率四列引线;
?
?
?
?
?
S:单列引线;
?
?
?
?
?
T:三列引线;
?
?
?
?
?
第二字母表示封装材料;
?
?
?
?
?
B:氧化铍-陶瓷;
?
?
?
?
?
C:陶瓷;
?
?
?
?
?
G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍)
?
?
?
?
?
M:金属;
?
?
?
?
?
P:塑料;
?
?
?
?
?
X:其它。
?
????该公司与意大利SGS公司组成SGS-THOMSON公司。????产品型号有变化,除ST首标的产品外,还生产与别的厂家型号完全相同的产品。
老产品型号举例说明
SFC
2
101
A
P
M
THEF/CSF的首标
系列
器件
改
封装
温度范围
?
2:线性电路;
编号
进
D:塑料小型双列(少于10线);
C:(0~70)℃;
?
9:微机系列。
?
型
E:塑料双列(多于10线);
T:(-25~85)℃;
?
?
?
?
G:陶瓷小型双列(小于10线);
M:(-55~125)℃。
?
?
?
?
J:陶瓷浸渍双列(多于10线);
?
?
?
?
?
K:陶瓷双列;
?
?
?
?
?
P:扁平金属封装;
?
?
?
?
?
R:菱形金属封装;
?
?
?
?
?
U:塑料小型扁平封装;
?
?
?
?
?
没标者为金属圆壳封装。
?
?
?
?
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