国外集成电路命名方法(三).docVIP

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国外集成电路命名方法(三)

国外集成电路命名方法(三) (电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法) 缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美) 器件型号举例说明 NE 5534 N 首标 器件编号 封装 当有第二位字母时 表示温度范围: ? CK:芯片; 表示引线数 75、N、NE:(0~70)℃ ? D:微型(SO)塑料; B:3; (0~75)℃; ? E:金属壳(TO-46,TO-72) C:4; 55、S、SE: ? 4线封装; E:8; (-55~125)℃; ? F:陶瓷浸渍扁平; F:10; SA:(-40~85)℃; ? G:芯片载体; H:14; SU:(-25~85)℃。 ? H:金属壳(TO-5) J:16; ? ? 8、10线封装; K:18 ? ? I:多层陶瓷双列; L:20; ? ? K:TO-3型; M:22; ? ? N:塑料双列; N:24; ? ? P:有接地端的微型封装; Q:28; ? ? Q:多层陶瓷扁平; W:40; ? ? R:氧化铍多层陶瓷扁平; X:44; ? ? S:功率单列塑封; Y:48; ? ? W:陶瓷扁平。 Z:50。 同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。 缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德) 器件型号举例说明(与欧共体相一致) TB B 1458 A GG 首标 温度范围 器件编号 改进型 封装 第一字母表示: A:没规定范围; ? ? 首位字母表示封装形式: S:单片数字电路; B:(0~70)℃; ? ? C:圆壳; T:模拟电路; C:(-55~125)℃ ? ? D:双列直插; U:模拟/数字混合 D:(-25~70)℃; ? ? E:功率双列(带散热片); 电路。 E:(-25~85)℃; ? ? F:扁平(两边引线); 第二字母,除H F:(-40~85)℃。 ? ? G:扁平(四边引线); 表示混合电路外, ? ? ? K:菱形(TO-3); 其它没明确含义。 ? ? ? M:多列引线(双、三、四列 电路系列由两字母加以 ? ? ? 除外); 区分。 ? ? ? Q:四列直插; ? ? ? ? R:功率四列(带散热片); ? ? ? ? S:单片直插; ? ? ? ? T:三列直插。 ? ? ? ? 第二位字母表示封装材料: ? ? ? ? C:金属-陶瓷; ? ? ? ? G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍); ? ? ? ? M:金属; ? ? ? ? P:塑料。 ? ? ? ? (半字符以防前后符号混淆) 缩写符号:THEF 译名:汤姆逊公司(法) 器件型号举例说明(与欧共体相一致) TD B 0155 A DP XX/XX 首标 温度范围 器件 改 封装 附加资料 第一字母表示: A:没规定范围; 编号 进 第一字母表示封装形式: ? S:数字电路; B:(0~70)℃; ? 型 C:圆形; ? T:模拟电路; C:(-55~125)℃; ? ? D:双列; ? U:模拟/数字混 D:(-25~70)℃; ? ? E:功率双列; ? 合电路。 E:(-25~85)℃; ? ? F:扁平(两边引线); ? 第二字母有A、 F:(-40~85)℃。 ? ? G:扁平(四边引线); ? B、C或H。 ? ? ? K:TO-3型; ? ? ? ? ? M:多列引线(多于四排) ? ? ? ? ? Q:四列引线; ? ? ? ? ? R:功率四列引线; ? ? ? ? ? S:单列引线; ? ? ? ? ? T:三列引线; ? ? ? ? ? 第二字母表示封装材料; ? ? ? ? ? B:氧化铍-陶瓷; ? ? ? ? ? C:陶瓷; ? ? ? ? ? G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) ? ? ? ? ? M:金属; ? ? ? ? ? P:塑料; ? ? ? ? ? X:其它。 ? ????该公司与意大利SGS公司组成SGS-THOMSON公司。 ????产品型号有变化,除ST首标的产品外,还生产与别的厂家型号完全相同的产品。 老产品型号举例说明 SFC 2 101 A P M THEF/CSF的首标 系列 器件 改 封装 温度范围 ? 2:线性电路; 编号 进 D:塑料小型双列(少于10线); C:(0~70)℃; ? 9:微机系列。 ? 型 E:塑料双列(多于10线); T:(-25~85)℃; ? ? ? ? G:陶瓷小型双列(小于10线); M:(-55~125)℃。 ? ? ? ? J:陶瓷浸渍双列(多于10线); ? ? ? ? ? K:陶瓷双列; ? ? ? ? ? P:扁平金属封装; ? ? ? ? ? R:菱形金属封装; ? ? ? ? ? U:塑料小型扁平封装; ? ? ? ? ? 没标者为金属圆壳封装。 ? ? ? ?

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