半导体及材料第3讲-区熔提纯.ppt

半导体材料 Tel: Email：rongfengg@163.com 第二章 区熔提纯(zone-refine) 区熔提纯是1952年美国科学家蒲凡提出的一种物理方法，用于制备超纯的半导体材料，高纯金属。 2.1 分凝现象 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。 区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到使中部材料提纯的目的。 平衡分凝系数 定义： 加入杂质后，纯组分A的熔点可能出现的变化：1熔点降低，2、熔点升高。 由图2-1中的液固两相二元相图，可推测出： 能使材料熔点下降的杂质，K01，熔融再凝固结晶时固相中的浓度小于液相中的浓度，所以提纯时杂质向尾部集中 能使材料熔点上升的杂质，K01，提纯时杂质向头部集中 结晶以一定速度进行时的界面分析 有效分凝系数 BPS公式（伯顿-普里-斯利奇特公式） 讨论了平衡分凝系数与有效分凝系数的关系 意义： 有效分凝系数Keff,是平衡分凝系数K0，固液界面移动速度f，扩散层厚度δ，和扩散系数D 的函数 当fD/δ, e-f/(d/δ)→ 　　 → 0，则有： 区熔原理 正常凝固 将一锭条全部熔化后，使其从一端向另一端逐渐凝固的方式称正常凝固。 由于存在分凝现象，正常凝固后锭条中的杂质分布不再均匀，会出现三种情况： K1的杂质，越接近尾部浓度越大，杂质向尾部集中 K1的杂质，越接近头部浓度越大，杂质向头部集中 K≈1的杂质，基本保持原有的均匀分布的方式。 正常凝固过程中，固相中杂质浓度CS沿锭长的分布公式推导： 一次区熔提纯 熔区内杂质的变化量为: △S= △熔入—△凝出 则：ds = C0 dx — Cs dx = C0 dx — K Cl dx = (C0— K Cl )dx = (C0— K s/l )dx 即： 积分得： 因为S0=C0 l，s=Cll=Cs l/K 代入上式，可得 一次区熔提纯 一次区熔提纯后，杂质沿晶体锭长的分布图 一次区熔与正常凝固的比较 就一次提纯而言 正常凝固比一次区熔提纯的效果好。 熔区越宽，提纯效果越好 最后一个熔区属于正常凝固，不服从区熔规律。 多次区熔与极限分布 极限分布 经过多次区熔后，杂质分布状态将达到一个相对稳对且不再改变的状态，这种极限状态叫做极限分布或最终状态。 极限分布 在最初几次区熔时，由于尾部杂质浓度还不太大，熔化界面熔入的杂质量也比较少，杂质倒流的作用不明显，此时分凝占主导地位。杂质总的流向是从头部流到尾部，对材料起提纯作用。 多次区熔后，尾部的杂质越来越多，杂质倒流越来越严重，最终杂质分布达到平衡，出现极限分布状态。 规律： 影响杂质浓度极限分布的主要因素是杂质的分凝系数和熔区长度。 对不同K值的杂质，K1时，K值越小，杂质分布卓越头部杂质浓度越小，熔区长度越小，极限分布时CS越小。 影响区熔提纯的主要因素 1、熔区长度 一次区熔时，由 CS=C0[1-(1-K)e-kx/L] L→大，CS →小，提纯的效果越好，由此考虑，熔区长度L越大越好。 极限分布的时,熔区长度越大，CS越大，提纯的效果越差，所以从极限分布的角度来看，L →小 较好。 实际区熔时，应取最初几次用大熔区，后几次则用小熔区的工艺条件。 影响区熔提纯的主要因素 熔区移动速度 根据BPS公式，熔区的移动速度越小，Keff→K0，有利于杂质的分凝与提纯。但区熔速度过慢会降低生产效率。 反之，区熔速度越大，所次区熔用时少，但提纯效果由于Keff的增大而降低。 要想在最短时间内，最有效的提纯材料，必须同时考虑区熔次数 n 与区熔速度 f ，使 n/f 的比值最小。 即用尽可能少的区熔次数和尽量快的区熔速度来区熔，达到预期的效果。 经验公式 一般区熔时，可按fδ/D≈1的条件近似计算f 3. 区熔次数的选择 多次区熔后，锭中的杂质会达到极限分布，所以无限增加区熔次数是无效的。 一般情况下，不论K值的大小，达到极限分布的区熔次数不是很多，并且相差也不大。 可使用一个半经验公式,计算n值 n=(1～1.5)L/l 通常取L/l=10，计算出n最大为15，通常区熔次数取20左右。 4.质量输运 质量输运或质量迁移：区熔时，物质会从一端缓慢地移向另一端的现象。 产生的原因：物质熔化前后材料密度变化，对某一物质，区熔时其质量输