Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究.PDFVIP

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2017-10-13 发布于天津
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Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究.PDF

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第卷第期年月物理学报 ! %$$ ，，， V*+ 4! J* 4 57C0+ %$$ （） #$$$,%($6%$$6! $ 6 #%;!,$; 5L25 TKU/:L5 /:J:L5 %$$ LW0E 4 TWX) 4 /*D 4 ! 基# % ’ 铁电薄膜的制备与特性研究! $ () 王华（桂林电子工业学院通信与信息工程系，桂林 !#$$ ）（年月日收到；年月日收到修改稿） %$$ % %# %$$ ’ %( 采用工艺，在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量基铁电薄膜研究了基 )*+,-.+ /0 10 20 3 4 /0 #% 薄膜的生长行为、铁电性能、特性和疲劳特性研究表明：基薄膜具有随退火温度升高沿 10 20 3 !, 4 /0 10 20 3 # #% #% 轴择优生长的趋势；退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变基薄 /0 10 20 3 #% ( 膜的铁电性能；异质结的特性曲线呈现顺时针回滞，可以实现极化存储；次极化反转后 5-6 10 20 3 6 7,/0 !, #$ #% 10 20 3 薄膜的剩余极化仅下降#% 8 ，具有较好的疲劳特性4 #% 关键词：法，铁