下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 077202 下电极对ZnO 薄膜电阻开关特性的影响* 1 1 1 1 1 12† 李红霞 陈雪平 陈琪 毛启楠 席俊华 季振国 1) ( 杭州电子科技大学电子材料与器件工艺实验室, 杭州 310018 ) 2) ( 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310013 ) ( 2012 年11 月6 日收到; 2012 年11 月27 日收到修改稿) 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs) 上制备了ZnO 薄膜, 获得了W/ZnO/BEs 存储器结构. 研 究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响. 研究结果表明, 以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻 开关特性. 在低阻态时, ZnO 薄膜的导电机理为欧姆传导, 而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流. 不同下 电极与ZnO 薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响, 并基于导电细丝模型对不同 下电极上ZnO 薄膜的低阻态阻值及reset 电流的变化进行了解释. 关键词: ZnO 薄膜, 电阻开关, 下电极 PACS: 72.80.Ga, 71.20.Mq, 85.30.De DOI: 10.7498/aps.62.077202 能简单地通过势垒高度来判断何种材料的电极可 1 引言 用于阻变存储器. 另一方面, 一些活泼性金属元素, 如Al, Ti 等, 作为氧化物的电极材料, 会与氧化物中 近年来, 阻变存储器作为一种新型的非易失性 的氧发生反应, 在电极和氧化物间形成一层薄的氧 11 存储器受到了学术界和工业界的广泛关注. 这种存 化层, 从而影响电阻开关特性 . 这层由电极引起 储器具有存储速度快、功耗低、结构简单、可高 的氧化层对电阻开关特性的影响有正面的和负面 密度集成等优点更有望集合动态存储器的成本优 的1213 . 而当具有储氧性质的导电材料作电极时, 势、静态存储器的高速读写和闪存的非易失性的 例如TiN14 , 电极是实现电阻开关特性的关键部分, 特点, 成为一种通用存储器1−5 . 电阻转换过程是由电极与绝缘层间界面的变化引 阻变存储器的基本存储单元由上电极- 绝缘层 起的. 67 因此电极在阻变存储器中起着十分重要的作 (或半导体层)- 下电极的三明治结构组成 . 器件 的电阻开关性能在很大程度上取决于绝缘层本身 用, 它的影响是不可忽视的, 值得深入的研究. Oh 的物理特性, 除此之外, 电极也在其中起着重要的 等人分别以不锈钢, Pt, Al, Ni, Ti 为上电极, 详尽研 作用. 在阻变存储器中, 电极不仅用于传导电流, 还 究了不同的上电极对TE/TiO /Pt 存储器性能的影 2 会对器件的电阻开关性能产生一定的影响. 研究认 响, 发现不易氧化的上电极有利于获得稳定的电