MOCVD自催化法在Si100衬底上生长InP／InGaAs核壳-发光学报.PDF

第３３卷　第３期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ３ ２０１２年３月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｒ．，２０１２ 文章编号：１０００７０３２（２０１２）０３０２９４０５ ＭＯＣＶＤ自催化法在 Ｓｉ（１００）衬底上 生长 ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ核壳结构纳米线 １，２ １ 张登巍 ，缪国庆 （１．发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春　１３００３３； ２．中国科学院研究生院，北京　１０００３９） 摘要：采用自催化法，利用金属有机化学气相沉积技术，在Ｓｉ（１００）衬底上成功制备了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ核壳结构 纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌，在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利 用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了ＩｎＰ纳米线上生长ＩｎＧａＡｓ外壳的过程，并应用Ｘ射线能量色散能谱 仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描，得到了纳米线上元素组分分布。催化剂的转化发生在制备 ＩｎＧａＡｓ壳之前的升温过程中，且形成的晶体中含有合金成分。ＩｎＧａＡｓ壳的组分调整可以通过改变生长过程 中生长源气体的流量来实现。 关　键　词：自催化法；金属有机化学气相沉积；ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ核壳结构；纳米线 中图分类号：Ｏ４７２．３　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０２９４ ＴｈｅＣａｔａｌｙｓｔｆｒｅｅＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＣｏｒｅｓｈｅｌｌＮａｎｏｗｉｒｅｓＧｒｏｗｔｈｏｎ ＳｉｌｉｃｏｎｂｙＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ １，２ １ ＺＨＡＮＧＤｅｎｇｗｅｉ ，ＭＩＡＯＧｕｏｑｉｎｇ （１．ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ＣｈａｎｇｃｈｕｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ，ＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓａｎｄＰｈｙｓｉｃｓ， ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００３３，Ｃｈｉｎａ； ２．ＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌｏｆｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００３９，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｍｉａｏｇｑ＠ｃｉｏｍｐ．ａｃ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＣａｔａｌｙｓｔｆｒｅｅＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓｃｏｒｅｓｈｅｌｌｎａｎｏｗｉｒｅｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉ（１００）ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｂｙｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．ＴｈｅｓｅｎａｎｏｗｉｒｅｓｈａｖｅｑｕｉｔｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｔｏＡｕｃａｔａｌｙｓｔ ｃｏｒｅｓｈｅｌｌｎａｎｏｗｉｒｅｓ．Ｂｙｕｓｉｎｇｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ｗｅｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅｃａｔａｌｙｓｔａｔｔｈｅｔｏｐｏｆ ｔｈｅＩｎＰｎａｎｏｗｉｒｅｓｈａｄｂｅｅｎｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｄｉｎｔｏｃｒｙｓｔａｌａｆｔｅｒｔｈｅＩｎＧａＡｓｃｏｒｅｇｒｏｗｎｏｎｔｈｅｍ．Ｍｅａｎ ｗｈｉｌｅ，ｔｈｅｄｉａｍｅｔｅｒｏｆｔｈｅｎａｎｏｗｉｒｅｓｈａｓｇｒｅａｔｌｙｉｎｃｒｅａｓｅｄｗｉｔｈｔｈｅｉｒｌｅｎｇｔｈｃｈａｎｇｅｄｑｕｉｔｅｌｉｔｔｌｅ．Ｔｈｅ Ｘｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｐａ