第一章--金属的结构与结晶.pptVIP

位错密度 ：单位体积中位错线的总长度, 或单位面积上位错线的根数,单位cm2 位错线附近的原子偏离了平衡位置,使晶格发生了畸变,对晶体的性能有显著的影响。 实验和理论研究表明:晶体的强度和位错密度有如图的对应关系, 当晶体中位错密度很低时,晶体强度很高；相反在晶体中位错密度很高时,其强度很高。 但目前的技术,仅能制造出直径为几微米的晶须,不能满足使用上的要求。而位错密度很高易实现,如剧烈的冷加工可使密度大大提高,这为材料强度的提高提供途径。 三、 面缺陷 概念：是指晶体中在二维方向上尺寸很大，而在另一维方向上尺寸很小的晶体缺陷。 类型：主要包括晶体的外表面、堆垛层错、晶界、亚晶界、孪晶界和相界面等。 1. 晶界 晶界是多晶体中晶粒与晶粒之间的交界面，由于各晶粒中原子排列方式相同（如都是体心立方），只是晶格位向不同，因此晶界实际上是不同位向晶粒之间的过渡层。该过渡层有一定的厚度，为了同时适应两侧不同位向晶粒的过渡，而使过渡层处的原子总是不能规则排列，产生晶格畸变，所以它是晶体中的一种重要的面缺陷。 根据晶体中各晶粒之间的位向差θ不同，又可将晶界分为大角度晶界（θ10°）和小角度晶界（θ10°）两类。 §1.3 实际晶体中的缺陷 对称倾側晶界 扭转晶界 §1.3 实际晶体中的缺陷 2.亚晶界 亚晶界是亚晶粒与亚晶粒之间的晶界，位向差θ一般为几十分到几度。大晶粒中的小晶粒称