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开题报告 开题人：黄仁芳 班级: 040841 指导教师：邵雷 论文题目: 功率VDMOS器件的 研究与工艺模拟 课题背景说明 本设计的主要内容 完成本设计的工作方案及进度安排 完成本设计的主要参考资料 一．课题背景说明 功率 MOSFET的开关性能优良，主要用作 功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关 ”就是由功率MOSFET担任的。 功率 MOSFET除了应用在开关电源中．在计算机 外设 、办公 室 自动化 设备 、消费类电子产品 、工业自动控制 、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。经过近20余年的发展，商用VDMOS产品日趋成熟，VDMOS应用渐趋广泛。 功率MOS器件具有优良的电性能： (1)它是电压控制型器件输入阻抗高，输入电流小，驱动功率小，可以直接由TTL电路驱动，驱动电路简单； (2)它是多子器件，无少子贮存效应，故开关速度快，工作频率高 (3)具有负电流温度系数，热稳定性好; (4)电流通道上无PN结，一般不出现二次击穿现象，安全工作区大。 因此它在高压大电流的电路应用中逐步取代了许多原来为双极型功率器件所占据的领域如:开关电源 ，DC-AC变换等 本设计