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光刻工艺技术基础 加工平台王逸群 光刻简介 从半导体制造的初期，光刻就被认为是集成电路制造工艺发展的驱动力。 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以 后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相 相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底 片与感光涂层。 光刻流程图 前道工艺 清洗 表面处理 涂胶 前烘 对准 曝光 坚膜 显影 后烘 核心工艺 否 去胶 检查 黄光室 较高的环境要求 通过 刻蚀 注入 基本工艺流程 • 旋转涂胶 •对准和曝光 • 显影 光源 光刻版 光刻胶 衬底 光刻胶 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。 晶片制造中所用的光刻胶通常以液态临时涂覆在表面，而后被干燥成胶膜。通 过曝光来传递设计图案 正性光刻胶 正性光刻胶曝光后软化变得可溶 负性光刻胶 　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 UV 负性胶 衬底 显影 正性胶 衬底 resister 衬底 光刻版 光刻胶 光刻胶的主要成分  光敏剂 光刻胶材料的光敏成分  树脂 惰性聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一