MgO（001）基片上沉积Ni—Mn—Ga薄膜相变行为和磁性能研究.pdf

MgO(O01)基片上沉积Ni—Mn-Ga薄膜相变行为和磁一tg~ g／许连强等 ·27 · MgO(001)基片上沉积 Ni—Mn—Ga薄膜相变行为和磁性能研究 许连强 ，谢 忍 ，程 丽 (1 宁夏师范学院物理与信息技术学院，固原 756000；2 南京大学物理学院，南京 210093) 摘要 采用室温沉积高温退火的方式在单晶MgO(OO1)基片上制备了具有马氏体相变的铁磁 Ni_Mn_Ga薄 膜。沉积态薄膜呈柱状晶结构，高温退火后柱状晶的晶界变得模糊。溅射气压为O．5Pa和 0．2Ba的薄膜的马氏体 相变起始温度分别为290K和 332K，溅射气压改变了薄膜成分，进而改变了相变温度。根据 300K测得的磁化曲 线，退火后溅射气压为0．5Pa和O．2Pa的薄膜分别显示 出软磁和硬磁特性，这与M-T曲线的结果是相符的。室温 下，0．5Pa薄膜的磁畴形貌呈现出迷宫状；而0．2Pa样品则显现 出马氏体的浮凸，与它的磁畴形貌直接关联。 关键词 磁控溅射 铁磁材料 马氏体相变 Ni—Mn-Ga薄膜 磁性能 中图分类号：0484．4+3 文献标识码：A InvestigationonTransformationBehaviorandM agneticPropertiesfor Ni-Mn—GaFilmsDepositedonMgO(O01) XU Lianqiang ，XIE Ren ，CHENG Li (1 SchoolofPhysicsandInformationTechnology，NingxiaTeachersUniversity，Guyuan756000； 2 SchoolofPhysics，NanjingUniversity，Nanjing210093) Abstract FerromagneticNi—Mn-Gafilms，depositingonMgO(001)substratesatroom temperaturethenan— nealingatanelevatedtemperature，wereprepared．Theas-depositedfilmsgrew inthefoITnofcolumnarstructure． Thegrainboundaryofthecolumnarstructurebecamevagueafterannealing．Themartensitictransfomr ationstarttem- peratureswereadjustedbysputteringpressureinawiderangefrom290Kto332Kforthefilmsdepositedat0．5Pa and0．2Pa，respectively，compositionofthefilmswasadjustedbysputteringpressure，andthenthetemperaturesof martensitictransfomr ation．At300K，theannealed0．5Paand0．2Pafilm demonstratedsoftandhardmagneticpro- perties，respectively，consistentwiththeresultfrom M-T curve．Atroom temperature，themagneticdomainmorph-o 1ogyoftheaustenitic0．5Pafilm ，withfeaturelesssurface，wassomewhatmaze-like；whilethemartensitic0．2Paone presentedamacr-ocrinklingstructurewithdirectrelationshiptoitsdomainconfiguration． Keywords magnetronsputtering，magnetic