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低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术-北京玛格泰克科技发展
第 5 期 电 子 学 报 Vol . 31 No . 5
2003 年 5 月 ACTA ELECTRONICA SINICA May 2003
低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术
王 文 ,孟志国
(香港科技大学电机电子工程系 ,香港九龙清水湾)
( ) ( )
摘 要 : 使用金属镍诱导非晶硅晶化 MIC :metalinduced crystallization 技术 ,获得了低温 550 ℃ 多晶硅. 通常
( )
在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用 ,这一技术被称为金属诱导横向晶化 MILC :metalinduced lateral crystallization 技术.
通过对结晶动力学过程和材料特性的研究 ,提出了可同时适用于镍覆盖区和相连非覆盖区金属诱导结晶的同一晶化
机制. 虽然 MILC 多晶硅的材料特性明显优于固相晶化多晶硅的材料特性 ,薄膜晶体管沟道中存在 MIC/ MILC 的界面
所形成的横向晶界会明显的降低其性能. 若将这些界面从沟道中去除掉 ,即可获得可满足液晶和有机发光二极管等显
示器进行系统集成所需的高性能器件.
关键词 : 镍 ; 金属诱导晶化 ; 多晶硅 ; 薄膜晶体管 ; 显示器 ; 低温电子技术
中图分类号 : TN454 文献标识码 : A 文章编号 : (2003)
LowTemp erature Met alInduce d Lat erally Cry st alliz e d
Polycry st alline Silicon Mat erial and Device Technolo gy
WAN G Wen ,MEN G Zhiguo
( Dep artment of Electrical and Electronic Engineering , the Hong Kong University of Science and Technology , Clear Water B ay , Kowloon , Hong Kong)
( ) ( )
Ab stract : Polycrystalline silicon polySi has been obtained using lowtemperature 500 ℃ ,nickelbased ,metalinduced
crystal
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