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数字电平标准 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。Vcc：5V；VOH=2.4V；VOL=0.5V；VIH=2V；VIL=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH=2.4V；VOL=0.4V；VIH=2V；VIL=0.8V。2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH=2.0V；VOL=0.2V；VIH=1.7V；VIL=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。TTL使用注意：???? TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；??????????????????? TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。???? TTL输出不能驱动CMOS输入。CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor?? PMOS+NMOS。Vcc：5V；VOH=4.45V；VOL=0.5V；VIH=3.5V；VIL=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。3.3V LVCMOS：Vcc：3.3V；VOH=3.2V；VOL=0.1V；VIH=2.0V；VIL=0.7V。2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH=2V；VOL=0.1V；VIH=1.7V；VIL=0.7V。CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(Positive ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 什么是ECL？ ??? ECL电路是射极耦合逻辑（Emitter Couple Logic）集成电路的简称 与TTL电路不同，ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态 所以，ECL电路的最大优点是具有相当高的速度 这种电路的平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级 这使得ECL集成电路在高速和超高速数字系统中充当无以匹敌的角色。 图1 电路结构及工作原理??? 电路结构及工作原理与其它数字集成电路一样，ECL集成电路的逻辑功能也可以归结为基本门电路的工作过程。ECL 集成电路的基本门为一差分管对，其电路形式如下图所示： 图中 第I部分为基本门电路，完成“或/或非”功能； ???????? 第II部分为射级跟随器，完成输出及隔离功能； ???????? 第III部分为基准源电路具有温度补偿功能。 ECL 集成电路的特点 在正常工作状态下，ECL电路中的晶体管是工作于线性区或截止区的。因此，ECL集成电路被称为非饱和型逻. ECL电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8V ，而 TTL 的逻辑摆幅约为 2.0V ），当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电容的充放电时间将减少，这也是ECL电路具有高开关速度的重要原因。但逻辑摆幅小，对抗干扰能力不利。 由于单元门的开关管对是轮流导通的，对整个电路来讲没有“截止”状态，所以单元电路的功耗较大。 从电路的逻辑功能来看， ECL 集成电路具有互补的输出，这意味着同时可以获得两种逻辑电平输出，这将大大简化逻辑系统的设计。 ECL 集成电路的开关管对的发射极具有很大的反馈电阻，又是射极跟随器输出，故这种电路具有很 高的输入阻抗和低的输出阻抗。射极跟随器输出同时还具有对逻辑信号的缓冲作用。 带有射随输出结构的典型输入输出接口电路，如图2所示。 ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态，因