传感与测量技术-第4章传感器原理及应用-磁电式传感器.pptVIP

在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。其最大的特点是基区较长，基区结构类似磁敏二极管，也有高复合速率的r区和本征I区。长基区分为运输基区（将发射极注入的载流子输运到集电极）和复合基区（使从发射极和基极注入的载流子复合）。 传感与测量技术 第4章 常用传感器原理及应用 天津职业技术师范大学 汽车与交通学院 传感与测量技术 第2章 测试系统的基本特征 天津职业技术师范大学 汽车与交通学院 第4章 常用传感器原理及应用 1.电阻式传感器 2.电感式传感器 3.电容式传感器 4.压电式传感器 5.磁电式传感器 6.热电式传感器 7.光电式传感器 8.霍尔式传感器 4.5 磁电式传感器 磁电式传感器又称磁敏式传感器。 原理：基于磁电转换原理的传感器—磁阻效应和霍尔效应 按结构不同可分为：体型和结型 体型包括霍尔传感器和磁敏电阻 结型包括磁敏二极管和磁敏三极管特点：磁敏式传感器具有体积小、灵敏度高、非接触测量应用：磁场测量（高斯计）、电流检测、直流无刷电机、转速/转数测量、伪钞识别、流量检测等领域。 一、霍尔传感器 二、磁敏电阻 利用磁阻效应制成的磁敏元件称为磁敏电阻 ρ0 ——零磁场时的电阻率 Δρ——磁感应强度为B时电阻率的变化量； K——比例因子； μ——电子迁移率； B——磁感应强度； L,b——分别为磁敏电阻的长(沿电流方向的尺寸)和宽； f(L/b)——形状效应系数。 图为各种形状的磁敏电阻，其磁阻效应与磁感应强度的关系，可见圆盘形状的磁阻效应最大。 它由基片、电阻条和引线三个主要部分组成。 基片又称衬底，基片材料常选用陶瓷、微晶玻璃或铁氧体材料等。 端子用导线引出后，再用绝缘材料覆盖密封。 （磁敏电阻的工作频率范围一般为1～10MHz） L和D分别为不同掺杂浓度的InSb-NiSb材料磁阻变化与磁感应强度的关系 InSb-NiSb元件温度系数与磁场的关系 二、磁敏二极管和磁敏三极管 在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区的一面磨光成光滑的复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），其目的是因为电子-空穴对易于在粗糙的表面复合而消失。 **当未受到外界磁场作用时，外加正偏压，只有少量的电子和空穴在I区复合掉，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，形成电流。 当受到外界磁场H+（正向磁场）作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合速度而减小。 当受到外界磁场H-（负向磁场）作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向I区偏转，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，形成的电流变大。 当电压保持恒定时，随着外加磁场由负到正逐渐增大时，磁敏二极管的电流逐渐减小。 **单只接法：随着磁场的增强，曲线趋于饱和，在弱磁场作用下(0.01T以下)，输出电压的改变量同磁场成正比； 互补接法：随着磁场的增强，曲线也趋于饱和，但在弱磁场下，磁场—电压输出特性不但是线性的，而且对磁场是对称的，这是互补电路的最大优点。 **锗磁敏二极管具有负温度系数，其输出电压U0的温度系数为-60mV/℃，使用温度范围为-30℃～65℃； 硅磁敏二极管具有正温度系数，U0的变化小于20mV/℃，使用温度范围为-40℃～85℃ * * 传感与测量技术 第4章 常用传感器原理及应用 天津职业技术师范大学 汽车与交通学院