电迁移原理(华东师范大学李旭瑞).docxVIP

《电迁移原理》的思考总结与扩展姓名：李旭瑞专业：华东师范大学微电子电迁移原理：集成电路芯片内部采用金属薄膜引线来传导工作电流，这种传导电流的金属薄膜称作互连引线。随着芯片集成度的提高，互连引线变得更细、更窄、更薄，因此其中的电流密度越来越大。在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，，其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须，这种现象就是电迁移。它是引起集成电路失效的一种重要机制。电迁移失效机理产生电迁移失效的内因：薄膜导体内结构的非均匀性外因：电流密度从缺陷产生和积累得角度，我们可以这样解释电迁移的失效机理，即在电迁移过程中，在子风和应力的作用下，互连线中的某些薄弱部位产生了缺陷;缺陷的产生，重新改变了互连线中电流的分布，进而也会影响热分布;这两个过程相互作用，决定了缺陷在哪些薄弱部位产生;随着时间的增加，缺陷不断积累，相邻较近的缺陷融合成一个大缺陷;当产生的缺陷足够大，在垂直电流的方向上占有足够的面积，互连线的电阻就会显著增加;最后当形成的缺陷横跨整个互连线横截面，互连线断路在图2.4中，我们考虑金属原子A，它的周围有十二个相邻的晶格位置，其中之一被空位V占据，其余被其他金属原子占据。在无电流应力条件下，由于热运动，原子A向其附近任何一个方向移动的概率是相等的;若在“电子风”吹动的情况下，很明显原子A向电子风方向移动概率大大增加。假设A要与人原子发生交换，其过程也只能是通过原子与空位的交换，即人移到空位位置，A移到人位置，空位移到原的位置，可见，空位移动一步之前移动了两个原子。同理，若A往几方向移动，空位移动一步须移动三个原子。所以，同等电子风力条件下，金属原子移动方向不同，难易程度也不同。从电流密度角度，我们可以这样解释电迁移的失效机理在金属里作用了两种对立的力。这些力被称为“直接力”和“电子风”力。直接力是一种在电场的作用下，由激活的金属正离子沿电子流相反方向流动产生的力。另一方面，关于“电子风”力是金属离子在电子流方向因电子与离子的动量交换而形成的力。在实践中，互连结构电迁移的可靠性评估使用了简单的方程。“电子风力”和“静电场力”的合力给定为式中，Fp为电子风力；Fe为场力；Z*e为有效电荷；ρ为电阻率；j为电流密度；Zwd为电子风力有效电荷常数；Zei为静电场力有效电荷常数。当互连引线中的电流密度较高时，向阳极运动的大量电子碰撞原子，使得所产生的电子风力，Fp大于静电场力Fe，因此，金属原子受到电子风力的驱动，产生了从阴极向阳极的受迫的定向扩散，即发生了金属原子的电迁移。由于电迁移使金属原子从一个晶格自由扩散到另一个晶格的空位上，所以，通常描述原子电迁移的数学模型采用的是空位流(J)方程下面对上面的方程进行一下推导：电迁移的离子流密度为J = NV 式中， V = μF 这里，N为粒子流密度，V为离子运动速度,μ为离子迁移率,F为作用在离子上的力F = Fq+Fe = q（Z-Z’）E = qZ*E 式中，Fq为电场力，Fe 为载流子（电子）与金属离子间动量交换产生的摩擦力;Z*相当于有效的原子价数,Z*q称为有效电荷。∵ E = ρj ∴ F = q Z*ρj 式中，j 为电子流密度，ρ为电阻率。则J = NμF = NμqZ*ρj 式中，D0为扩散常数，Qb为扩散激活能，f为取决于晶格类型的修正因子。∴电迁移离子流方程为（1）1 IC常用的金属Al和Au,其Z*0，说明“电子风”力使离子向正电极移动；2 Au膜抗电迁移能力大大优于Al膜；3 说明Al抗电迁移能力较差；4 W、Pt、 Co 等 Z* 0, 说明“电子风”导致金属离子向负电极方向移动；5, Pt、 Co 的 Z*很小，抗电迁移能力很强。电迁移平均失效时间 MTF（ Median time to failure ）MTF —反映器件表面金属化抗电迁移的能力严格地讲，应译成“中值失效前时间”，简称t50。 T50是指一组同样的金属薄膜，在同样的测试或工作条件下，使50％金属薄膜失效所需要的时间。失效的判据为薄膜电阻增大100％。为了推断电迁移失效时间，Black给出了加速试验条件直流模型下描述电迁移失效中值时间的经典公式式中T50为50%试样失效的统计平均时间，A为与导电材料密度、电阻率、晶粒大小、晶粒尺寸的分布、离子质量几何尺寸等有关的因子，j为电流密度(A/cmZ)，月为电流密度指数(通常为2一3)，E二为激活能(通常为0.5一0.seV(电子伏))，T为绝对温度，k为玻耳兹曼常数8.62x10一，(e歹7K)。A与E。由实验数据确定。下面再对电迁移失效时间方