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溶剂熔区移动法生长Cd09Zn01Te晶体的工艺优化研究-无机材料学报
第32 卷 第9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 32 No. 9
2017 年9 月 Journal of Inorganic Materials Sep., 2017
文章编号: 1000-324X(2017)09-0980-05 DOI: 10.15541/ji
溶剂熔区移动法生长 Cd0.9Zn0.1Te 晶体的工艺优化研究
凌云鹏, 闵嘉华, 梁小燕, 张继军, 杨柳青, 温旭亮, 张 滢,
李 明, 刘兆鑫, 王林军, 沈 悦
(上海大学 电子信息材料系, 上海 200444)
摘 要: 为了解决 Cd0.9Zn0.1Te(CZT) 晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题, 采用溶剂熔区移动法(THM)
在优化工艺参数下生长了掺In 的CZT 晶体, 在优化晶体的生长温度、固液界面处的温度梯度、原位退火过程等生
长条件后, 生长出直径为45 mm 的低Te 夹杂浓度、高电阻率、高透过率、均匀的高质量CZT 晶体。 X 射线衍射
结果显示, 晶体的结晶性较好、Zn 成分轴向偏析小。红外透过光谱测试结果显示, 晶体内部的杂质、缺陷水平相
对较少, 晶体整体的红外透过率在 60%左右。紫外-可见光吸收光谱测试结果也进一步表明, 晶体的均匀性良好。
采用红外显微镜对晶体内部的Te 夹杂形貌及其尺寸进行观察, 结果表明Te 夹杂的尺寸主要分布在0~10 μm 之间。
采用直流稳态光电导技术测得电子的迁移率寿命积约为8×10-4 2
cm /V 。
关 键 词: 溶剂熔区移动法; Cd0.9Zn0.1Te; 红外透过率; 直流稳态光电导
中图分类号: TQ174 文献标识码: A
Process Parameters Optimization for Cd0.9Zn0.1Te Crystal Grown by
Traveling Heater Method
LING Yun-Peng, MIN Jia-Hua, LIANG Xiao-Yan, ZHANG Ji-Jun, YANG Liu-Qing, WEN Xu-Liang,
ZHANG Ying, LI Ming, LIU Zhao-Xin, WANG Lin-Jun, SHEN Yue
(Department of Electronic Information Materials, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
Abstract: To overcome the shortages of high growth temperature, low single crystal ratio and
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