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硅芯车间技能大赛考试题 单位 姓名 得分 一、填空题 1、直拉单晶炉的热系统是指为了熔化硅料，并保持在一定温度下进行单晶生长的整个系统，它包括（加热器）、保温罩、（托碗）、电极等主要部件。影响热场温度梯度的因素有（坩埚位置）、保温层、加热器和托碗厚度、（氩气流量）、（炉内压力）、（晶体直径）和热屏位置等。 2、在晶体生长过程中，晶体的直径主要受（拉晶速度）和（熔体温度）的变化而变化。氩气在直拉单晶硅工艺中的作用是保护硅料不被氧化，（带走挥发物）和（带走结晶热）。 3、直拉单晶硅工艺包括拆炉、（装炉）、抽真空、熔料、（稳定化）、（引晶缩颈）、放肩、转肩、等径生长、收尾和（降温停炉）。 4、当杂质进入硅溶液之后，会扩散到整个熔体内，这是扩散效应；有一些杂质会蒸发，这是蒸发效应；在结晶过程中，进入固体的杂质和留在熔体中的杂质，浓度是不一样的，这是（分凝效应）。 5、在数控机床标准G代码?中，G00?表示点定位?，G01表示直线插补?；M代码中，M04表示主轴逆时针转动?， M02表示程序结束?； 6、数控机床整个数控系统主要有数控装置、可编程控制器 、主轴驱动 、进给装置；数控机床在各行各业的加工生产中起到了很大的作用,它主要特 点在于加工的精度高、自动化程度高、加工效率高、减少了劳动强度、生产水平管理高、加工零件适应性强、灵活性好（至少填3个）； 7、腐蚀清洗硅料时，一般采用的化学试剂可有 氢氟酸 、 硝酸 ， 氢氧化钠 、 氢氧化钾 、冰乙酸（醋酸）等 。酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮在硅料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅料的表面或缝隙等仍有可能残留酸。如果直接干燥，残留酸会对硅料进行氧化，因此还需在酸洗后进行超声漂洗。 ??电子级高纯水EH— T的技术指标：电阻率，MΩ·cm(25℃) 18 (90％时间）最小17、总有机碳含量(最大值)，μg／L 50 。 13、国标要求太阳能级硅多晶的处理后尺寸要求3mm～5mm占重量的15%，25mm～100mm占重量的35%，100mm～200mm占重量的65%。电子级硅多晶的处理后尺寸要求6mm～25mm占重量的15%，25mm～50mm占重量的15%～35%，50mm～100mm占重量的65%。 14、太阳能级硅多晶表面质量要求：块状、棒状硅多晶断面结构应致密。硅多晶免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有硅多晶的外观应无色斑、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面。电子级硅多晶表面质量要求：硅多晶表面结构应致密、平整（断面边缘颗粒不大于3mm）。（免洗的）块状硅多晶的表面应经过酸腐蚀去除表面沾污，使其达到直接使用要求。所有硅多晶的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。 15、每批硅多晶产品应包含基磷电阻率、基硼电阻率、n型少数载流子寿命、碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验。 二、选择题 1、直拉单晶炉所需公辅介质有（ BCD ） A、氮气 B、氩气 C、压缩空气 D、冷却水 E、氧气 2、以下属于单晶性质的有（ BCD ） A、不对称性 B、各向异性 C、固定熔点 D、规则外形 3、当籽晶晶向为100时，所拉制单晶硅棒棱线条数为（ B ） A、3条 B、4条 C、5条 D、6条 E、3条或6条 4、在适当的范围内，以下哪种情况更有利于拉晶（ A ） A、纵向温度梯度足够大、径向温度尽量小 B、纵向温度梯度足够大、径向温度尽量大 C、纵向温度梯度足够小、径向温度尽量小 D、纵向温度梯度足够小、径向温度尽量大 5、以下对加热功率说法正确的有（ C ） A、为了尽快的完成熔料步骤，加热功率越大越好 B、停炉过程中，应直接将功率降到0KW，以便尽快降温 C、拉晶过程中，当炉内出现结晶现象时，应加大加热功率 D、等径生长过程中，一直保持加热功率不变，避免温度波动 6、运用在数控机床上的伺服系统的要求应满足（ABCD） A、精度高 B、快速响应特性好 C、调速范围要好 D、系统可靠性要好 7、硅料清洗时会排出大量的废气，必须经过处理使其中NOx的排放标准是（ A ），HF的排放标准是（ C ），才允许排放。 A、＜240mg/ m3 B、＜340mg/ m3 C、＜9mg/ m3 D、＜90mg/ m3 8、供酸管道可以采用的管材是（ ABCD） A、PVC B、PVDF C、PPH D、PTFE 9、一般硅片表面污染物来源有（ ABC ） A、有机物沾污 B、颗粒污染 C、金属离子污染 10、影响硅料腐蚀清洗的主要因素有（ ABCD） A