第八章开关电流电路.docVIP

§第八讲 《开关电流电路》 教学目标《掌握开关电容积分模块的分析方法、掌握开关电容滤波器设计方法》 教学重点《掌握开关电容滤波器设计方法》 教学难点《掌握开关电容滤波器设计方法》 教学内容和要点《1. 开关电容积分模块；2. 开关电容滤波器设计方法》 五、采用的教学方法和手段教学方法：讲述法教学手段：幻灯 开关电流系统 开关电流系统可定义为应用以电流取样表示信号的模拟取样数据电路的系统。 ???与以电压取样表示信号的开关电容电路相反。 ???开关电流系统的应用与开关电容系统的应用有很多相同之处，即滤波器、A／D和D／A转换器、一般信号处理等。 ???但主要目标是应该采用标准VLSI CMOS工艺来实现开关电流电路。 ???在开关电流电路中不需要线性浮置电容，并且在原理上(即使不在实际上)。 ???用电流表示信号时，所需电压摆幅不大。 开关电流电路是电流模取样数据系统，属于电流模电路，它具有电流模电路的特点，如速度快、适于低压工作、电流求和简单等。此外，它不需要线性浮置电容，更适合于CMOS VLSI工艺。而用于滤波器的电路更加简单，也不存在运算放大器的非理想带来的影响。开关电流电路主要用于集成滤波器、A/D、D/A转换和模拟信号处理。 开关电流电路的分析发方法和所用的数学工具与开关电容电路相同，本章重点放在开关电流积分器和开关电流微分器的电流结构上，以及他们为基本单元的开关电流滤波器的设计上。 7.1 电流存储与延迟电路 MOS集成电路有一个独特的性质，即利用栅极和源极之间的电容，能在一定的时间内在栅极节点上存储信息，而且可以不断地、无损的读出，由此特性可以引出的电流存储单元是各种电流电路的基础。 7.1.1 电流存储与电流延迟单元 （a）图用的是双极性晶体管，（b）图用的是MOS晶体管。（a）图中，当开关闭合时，1mA的恒流电流流过双极晶体管，而当开关断开时，晶体管的基极开路，集电极电流为零。（b）图则不同，当开关闭合时，恒流源给电容C充电，当电容上的电压达到MOS管的阈值电压时，MOS管导通，恒流电流全部流过MOS管。此时，若开关断开，则由于电容上的电荷没有释放回路，电容电压不变。MOS管将继续导通，漏极电流仍等于1mA。利用MOS管的这种存贮特性，可以方便的实现电流延迟。 上图中，（a）示出了延迟半个时钟周期的电流延迟单元，其中电容C可以由MOS管的栅—源寄生电容CGS充当。设施中波形如（b）图所示，在（n-1）T时，φ1为高电平，开关S1和S2闭合，MOS管M1导通，其漏极电流等于输入电流与恒流源电流之和，即： I1[n-1]=i[n-1]+J 式中，J为恒流源电流。在此期间，开关S3是断开的，所输出电流 io[n-1]=0 在(n-1/2)T时刻，φ2时刻到来，开关S1和S2断开，S3闭合。由于电容C的保持功能，MOS管M1的漏极电流保持不变，即： I1[n-1/2]= J- io[n-1/2]= I1[n-1]= i[n-1]+J 所以io[n-1/2]=- i[n-1] 即在φ1期间把输入存储在MOS管中，在φ1期间读出，读出是输入延迟了二分之一时钟周期的结果。显然，这包括了存储和延迟两个过程。下面介绍电流延迟单元。 两个单元级联，便得到一个时钟周期的电流延迟单元，如上图（a）所示。 由前面分析可知，在(n-1)T时刻，φ1相时刻到来，开关S1和S2闭合，MOS 管M1导通，其漏极电流等于输入电流与恒流源电流J之和。而在(n-1/2)T时刻，φ2相到来，开关S1和S2断开，MOS管的流积电流保持不变，M1经过S3输出电流为 Io1[n-1/2]=-i[n-1] M2的漏极电流为 I2[n-1/2]=J+io1[n-1/2]=J-i[n-1] 在nT时刻，S3和S4断开，φ1将闭合S5。M2的漏极电流保持前值，即 I2[n]=I2[n-1/2]=J-i(n-1) 又知 I2[n]=J-io[n] 所以 Io[n]=i[n-1] 即在nT时刻的输出电流等于(n-1)T时刻的输入电流，或者说，输入电流被延迟了一个时钟周期。 7.1.2 延迟线 延迟线可以用级联延迟单元来产生，但这会增加传输误差和降低模拟性能。 较好的方法如图所示。电路是一个由N+1个并联存储单元组成的阵列，且由图3.7所示的时钟序列控制。 在时钟的φ0相，存储单元M0。接受输入信号，而单元M1提供其输出。类似地，在φ1相，单元M1接受输人信号，而单元M2提供其输出。这个过程一直继续到单元MN接受其输入信号，单元M0已提供其输出信号以后为止，然后重复循环。显然，每个单元都是在其下一个输入之前一个周期，即在其前一个输出相N个周期(NT)之后，提供其输出信号的。如取N＝l，则延迟线是一个反