半导体物理第十一章半导体的热电性质part2.pptVIP

第11章 半导体的热电性质 半导体的热电性质 热电效应的一般描述 1 珀尔帖效应 2 汤姆孙效应 3 半导体的热导率 4 半导体热电效应的应用 温差电动势率 6 5 6 当两种不同的半导体或者半导体与金属接触通以电流时，接触面处除产生焦耳热以外，还要吸热或者放热，称为珀尔帖效应，而且这个效应是可逆的。 半导体的珀尔帖效应 11.3 I 珀尔帖效应能带图 下面仍以p型半导体和金属相接触来说明珀尔帖效应。假设接触面处为非整流的欧姆接触，平衡时金属和半导体的费米能级应该等高。 空穴要通过接触面必须吸收EF-EV+E的能量。反之，当空穴自半导体流向金属时，空穴必须放出EF-EV+E的能量。 对于非简并半导体，EF-EV＞2k0T （11-51） 一个空穴通过接触面自金属流向半导体时，必须吸收能量 能量来源于晶格的热振动，在接触面产生热现象，使温度降低，形成冷却的效应。 （11-52） 反之，当空穴自半导体流向金属时，便放出能量，使温度升高。 金属a与半导体b的珀尔帖系数пab为 (11-53) 当电流由金属流向半导体时吸收能量， пab为正；反之，пab为负。 如果a和b是杂质含量不同的p型半导体，载流子浓度分别为pa和pb (11-54) 当a和b都是n型半导体时则 (11-55) 如果是本征半导体和金属接触 (11-56) 11.4 半导体的汤姆孙效应 当电流流过有温度梯度的半导体时，半导体中除产生焦耳热，也还要吸收或放出热量。 这就是汤姆孙效应，这个热量为汤姆孙热量。 空穴自T0端运动T0+ΔT端时得到的净能量 (11-57) 如果净能量为正，就是晶格中吸收这部分能量；反之，就是放出热量给晶格，这就是汤姆孙热量。 如果ΔT很小空穴吸收的汤姆孙热量为 p型半导体的汤姆孙系数为 (11-58) (11-59) 当电流沿正温度梯度方向流动时，空穴吸收热量，汤姆孙系数为正；反之，汤姆孙系数为负。 同理可得 (11-60) 11.5 半导体的热导率 当晶体的某一部分温度升高时，则热能将由晶体的高温部分部分传到低温部分，使整个晶体的温度趋于一致。以一维情况为例，在晶体中设想一个很小的面积ds,dT/dx为沿x方向的温度梯度，则 κ称为晶体的热导率（W/（m·K）） 以κe代表载流子对热传导的贡献，κp代表声子对热传导率的贡献，则半导体的热导率可以写成  金属导体的热传导，主要通过电子的运动，而绝缘体的热传导主要依靠格波的传播，即声子的运动。对于半导体，性质介于导体和绝缘体之间，所以热导率由上述两种机构决定。 (11-62) 11.5.1 载流子对热导率的贡献 当半导体具有温度梯度而载流子由高温端向低温端运动的过程中便将热能从高温端传向了低温端，形成热传导。 对于长声学波散射，γ=-1/2，则 (11-64) (11-65) 载流子具有电荷，所以在输运能量的同时也形成电流，载流子的热导率与电导率之间应有一定的关系 (11-66) 式中L为一常数，称为洛伦兹数 (11-67) (11-68) 对于 对于长声学波散射，γ=-1/2，则 (11-69) 对于简并化情况 (11-70) 当电子和空穴两种载流子同时存在时，由于电子扩散得快，空穴扩散得慢，两者之间便产生电场，该电场使空穴运动加快，电子运动减慢，至使两者一同运动。有时称这种扩散为双极扩散。 在高温端产生的电子和空穴通过双极扩散到低温端的过程，电子和空穴不断复合，载流子数不断减少。在复合过程中，电子和空穴的高温端吸收的能量，在低温端又放出，转变为晶格的能量。这样，通过双极扩散的机构，电子和空穴便将能量自高温端传向低温端。 通过求解波尔兹曼方程得 (11-71) 对于长声学波散射，γ=-1/2，则 (11-72) 在混合导电机构中，载流子对热导率的贡献比式（11-71）所表明的要大，这是由于通过激子的扩散使热能由高温处传向低温处。 11.5.2 声子对热导率的贡献 半导体中得热传导绝大部分是声子的贡献，也即晶格振动对热传导的贡献。通过晶格振动的格波的传播将热能从高温处传向低温处，采取扩散的形式，通过格波之间的散射交换能量，完成热传导。 研究发现，如果晶格作严格的线性振动，格波之间是相互独立的，它们之间没有相互作用；只有含有非线性振动，这些非线性振动才能使格波之间发生散射，交换能量，形成热传导。 采用与德拜分析气体分子论中求热导率相似的方法，可求出声子对热导率的贡献为 (11-73) 高温时平均自由程 与1/ T成比例 低温时 与 成比例 11.6 半导体的热电效应的应用 1.温差发电器 温差点偶的两臂由p型和n型半导体热电材料组成，一端用金属以欧姆接触相接，温