ME今天2013年6月18号M5满分通过.DOC

[ME]06.23信不信由你? 1关于动态光散射，不正确的是(D)A、向列相液晶加上交变电流后，破获了原来液晶分子的有规则排列B、引起光线发生散射，使液晶变成不透明C、交变电场断开后，液晶分子又恢复到有规则的排列D、产生动态光散射所需要的工作电压为18V2、关于介质极化，不正确的是(C)A、当施加电压达到2倍阀值电压后，分子的长轴沿电场方向重新排列，90度旋光性消失B、如果两个偏振片的吸光轴方向相互平行，则光通过第二个偏振片产生亮点C、在介质极化时，工作电压用5V到15VD、在介质极化时，需要使用30Hz到100Hz的交变电场3、关于液晶数码管，不正确的是(D)A、前玻璃片的内表面有真空蒸发的二氧化锡或氧化铟的透光电极B、后玻璃片的内表面有一层公共电极C、前玻璃片的电极可以构成所希望的字符形状D、上玻璃片的外侧贴有一层偏振片4、关于液晶的分类，下列说法正确的是(B)A、向列相液晶中分子分层排列，逐层叠合；相邻两层间分子长轴逐层有微小的转角。B、胆甾相液晶中分子分层排列，逐层叠合；相邻两层间分子长轴逐层有微小的转角。C、胆甾相液晶分子呈棒状，分子长轴互相平行，不分层；液晶材料富于流动性，黏度较小。D、向列相液晶分子呈棒状，并分层排列；液晶材料富于流动性，黏度较小。43CRT的水平_____X偏转线圈所产生的是_____。??(B)A、水平方向的磁场????B、垂直方向的 磁场?C、管轴方向的磁场D、管径方向的磁场??????????????????????????????????5、CRT偏转系统的垂直_____Y偏转线圈所产生的是_____?。(C)?A、垂直方向的磁场??????B、管颈方向的磁场??C、水平方向的磁场??????D、管轴方向的磁场???6、CRT中磁偏转效果可达到_____。??(A)??A、45。???????????B、90。???????????C、80。??????????D、70。???????????????????????????7EFIS－SG的基本功能是_____。(D)A、进行主计算机的通讯接口控制，图形输入控制，对主机来的图形指令进行处埋??B、把圆弧、抛物线等数据展开成一个个象素C、把计算机显示指令中以数字编码表示的字符或图形，变成字符或图形显示的控制信息??D、存储计算机来的字符，图形信息、，确定显示的内容，屏址颜色等????????8EFIS－SG产生图形信息的基本元素是_____?。(A)A、点矩阵????????B、矢量????????????C、弧线段??????????D、抛物线????9、EFIS－EADI/EHSI显示亮度调节的方式有。(C)A、远距光传感器进行亮度自动凋节B、EADI/EHSI前面板上的局部光传感器进行亮度自动调节、?C、EFIS－CP上通过旋钮人工调节显示亮度??D、EFIS－CP上旋钮人工调节、远距光传感器自动调节、显示器上的光传感器自动调节?10EFIS－SG实质上是_____。(D)A、输入信号变成图形显示的部件???B、计算机输出的显示指令变成图形显示的部件C、计算机的视频处理部件?????D、计算机与显示器之间的接口部件，把计算机数据变成图形显示的控制信息。??11、当前，符号发生器在EFIS中的装配关系是_____。(D)A、SG安装在主计算机中????????????????B、SG 独立安装??C、SG安装在主计算机内/或显示器中?????D、安装在输入信号与计算机之间????12、当前EFIS的余度技术体现在(A)A、各SG互为余度????????????????B、各 DU互为余度C、EFIS各部件之 间互为余度?????D、各SG互为佘度，并各DU互为余度???????????????13、六管配置的EFIS显示器主要特点是_C___??。显示内容更丰富?符号发生器在显示器中?六个显示器互为余度()A、,②对??????B、,③对??????C、,③对??????D、,②,③全对?????14、EFIS－EADI显示的决断高度信号源是_____。(A)A、无线电高度表?????B、EFIS控制板????C、ILS导航台???D、近地警告计算机?????15、关于半导体材料发光颜色不正确的是(BCD)A、磷砷化镓发红光?????B、磷化镓发红外线光C、氮化