SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析.pdfVIP

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2017-10-13 发布于北京
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SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析.pdf

43卷第5期人工晶体学报 No．5 v01．43 兰鱼!兰生曼旦』Q堕垦堕垒垦Q!墨!堕!旦垦里曼堡垦!兰!垒堡坠!!!兰Q!兰 SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析于国建1，徐明升1’。，胡小波1，徐现刚1’2 (1．山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100；2．山东浪潮华光光电子股份有限公司，济南250100) 底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等进行了分析。分析表明，GaN和SiC具有一致的口轴取向，GaN外延层弛豫度超过90％，GaN外延层的晶格常数与体块材料相近，在GaN中存在压应力，SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为10’和108量级。关键词：高分辨X射线衍射；SiC衬底；GaN外延层中图分类号：0484．4 文献标识码：A Diffraction Resolution High X-ray on ofGaN GrownSiCSubstrate Analysis EpitaxialLayer YU Guo-jianl，XUMing—shen91”，HUXiao—b01，XUXian．gan91，2 of (1，StateKeyLaboratoryCrystalMaterials，ShandongUniversity，Jinan250100，China； CO，．LTD，Jinan250100，China) 2．ShandongInspurHuaguangOptoelectronics 3 13 (Received 2014，acceptedFebruary2014) January GaN onSiCsubstrate chemical was Abstract：The grown epitaxiallayer bymetal—organicvapordispersion orientationthe relativetothe the resolution of GaN diffraction(HRXRD)．The analyzedby high X—ray lattice stressandthedisloIcationweredetected．Theresults SiC，the parameters，the density analysis indicatethatthe口．axisdirectionofGaNiS tothatofSiC．Therelaxation oftheGaN