二维X形介晶单元液晶聚合物的高强度向错.DOC

二維X形介晶單元液晶聚合物的高強度向錯 Lei Li, Shuyuan Zhang, Zifa Li,Polymer, 45,2309–2312,2004 吳厚潤 摘要 　　對二維液晶聚合物的進行調查。向錯，S| 3/2和，容易發現每個樣本中。高強度向錯對可發現。這些高強度向錯是在高溫下很，雖然他們是根據Nehring和Saupe。穩定高強度向錯簡介 　　當向列液晶(LC)到達熔點以上後會顯示紋影紋理，可透過偏光顯微鏡(POM)觀察到。通常較厚的一層(厚度超過100毫米)線狀紋理可以從向列液晶藉由偏光顯微鏡被觀察。在薄薄的一層，在向列液晶來說是10-100毫米的厚度，紋影紋理可以從這些點的單數點被觀察到這種消弧放射暗刷。旋轉樣品的交叉偏振片也會造成暗刷在一樣的狀態下旋轉或相反的偏振片的狀態下旋轉，當這些單數點保持靜止狀態，說明分子不斷變化。這些單數點被定義為向錯。向錯的強度可簡單的被定義為 |S| = N/4，N代表暗刷的數目在相對應的向錯中。向錯的強度S =1/2和1總可以被觀察到。相比之下，高強度向錯|S|1)是很難被觀察到的，因為彈性變形能量的向錯為的比例，並成為|S|的增加不穩定的向錯在高強度低質量，因為他們的不穩定性熱致和溶致液晶的混合物向錯Cui和Li分別找到了穩定的單組分系統中的小分子液晶的高強度向錯　　據我們所知，高強度向錯很少在熱致液晶聚合物(LCPs)中被發現。Zhou和Song在報告中指出高強度向錯(|S| =3/2,2和5/2) 在液晶聚合物分別與?T型二維的介晶單元偏振鏡的自轉，標誌的稀有是正面的，而陰性。 所有這些紋理的多當轉動，並且保留恆定的數字的偏振鏡。 可以說那高強度是真正那些，但是不是聚集體鄰居稀有[1] Chandrasekhar S. Liquid crystal, 1st ed. Cambridge: Cambridge University Press; 1977. [2] Nehring J, Saupe A. J Chem Soc, Faraday Trans II 1972;68:1. [3] Lee H, Labes M. Mol Cryst Liq Cryst 1982;82:199. [4] Madhusudana NV, Pratibha R. Mol Cryst Liq Cryst 1983;103:31. [5] Viney C, Brown DJ, Twieg CM. Liq Cryst 1983;13:95. [6] Cui L, Liu JN, Xie P, Zhang RB. Liq Cryst 1999;26:605. [7] Li L, Liu RG, Zhang SY, Li ZF. Liq Cryst 2003;30:259. [8] Demus D, Goodby J, Gray GW, Spiess HW, Vill V, Handbook of liquid crystals, vol. 3. Weinheim: Wiely-VCH; 1998. p. 104. [9] Zhou QF, Wan XH, Zhang F, Zhang D, Wu ZC, Feng XD. Liq Cryst 1993;20:851. [10] Song WH, Chen SX, Qian RY. Makromol Chem Rapid Commun 1993;14:605. [11] Kong X, Tang BZ. Chem Mater 1998;10:3352. [12] Bai F, Chien LC, Li CY, Cheng SZD, Petschek R. Chem Mater 1999; 11:1666. [13] Krone V, Ringsdorf H, Ebert M, Hirschmann H, Wendorff JH. Liq Cryst 1991;9(2):165. [14] Berg S, Krone V, Ringsdorf H. Makromolekulare Chemie Rapid Communcations 1986;7(6):381. [15] Tong TH, Primak A, Kumar S, Chien LC. Macromolecules 1998;31: 3537. [16] Li ZF, Li L, Zhang SY, Cao SK, Zhou QF. Polym Adv Technol 1997; 8:674. [17] Kurik MV, Lavrenctovich OD. Sov Phys Usp 1998;31:196. [18] Lavrenctovich OD, Nastis