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ZnO纳米线的低温生长及其发光特性.pdf
学 v01.28No.10
第28卷第10期 半导体 报
J0uRNALoFsEMIc0NDUcToRs Oct.,2007
2007年10月 CHINESE
Low and ofZnONanowires。
TemperatureSynthesisOpticalProperties
Sul”,Chen Han
Genliangz
ChangPen91,Liu Rongb01,TangYin91,and
(1School Scienceand 730000·China)
ofPhysical Technology,LanzhouUniversity,Lanzholt
(2 730000,China)
field-assisted
Abstrlct!Zn0nanowirearefabricatedonanodizedaluminumoxide witheleetric
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inthe of350~550nm.Theeffectoftheassistedtransverseelectricfieldon也e
broad.bandluminescence
region
ofZnOnanowiresisalsodiscussed.
growthprocess
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Key spectrum
EEACC,2520D;4220
PACe;8115L;7855
CLC Documentcode:A ArticleID:0253—4177(2007)10·1503-05
number:TQl53
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