化学水浴法合成CdS粉末的黄光发射特性.PDF

第２８卷第５期 平顶山学院学报 Ｖｏｌ．２８Ｎｏ．５ 　　　　　　　　　　　　　 ２０１３年１０月 　　　　　　　　　　　　　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｉｎｇｄｉｎｇｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｃｔ．２０１３ 化学水浴法合成 ＣｄＳ粉末的黄光发射特性 高　磊 （平顶山学院电气信息工程学院，河南平顶山４６７０９９） 摘　　　要：利用化学水浴法，在８０℃合成了ＣｄＳ．在氩气氛下，５００℃下退火１ｈ，得到六方相的ＣｄＳ．对吸 收光谱的分析，得到六方相 ＣｄＳ的平均吸收边为～５１０ｎｍ；Ｒａｍａｎ测试中发现３个较强的峰，分别是ＣｄＳ的 １ＬＯ，２ＬＯ和３ＬＯ峰；光致发光谱表现出较强的黄光发射，２个较强的峰分别起源于ＣｄＳ的带隙发射和表面态发 射．这种ＣｄＳ粉末可以被用作黄光ＬＥＤ的光转换层． 关　键　词：化学水浴法；ＣｄＳ；Ｓｔｏｋｅｓ位移；黄光 ＋ 中图分类号：Ｏ４８４．４１；ＴＭ９１４．４　　　　文献标识码：Ａ　　　　文章编号：１６７３－１６７０（２０１３）０５－００４４－０３ 　　早在２０世纪９０年代，碳纳米管被发现，且由 １　实验方法 于它特殊的形貌和内在的特性，纳米材料在电子和 光电子器件应用方面引起了人们极大的兴趣．ＩＩ－ 首先将０．００３ｍｏｌ的硫酸镉、１５ｍＬ的氨水融 ＶＩ族化合物在光电子应用方面也是很有前途的一 入６５ｍＬ的去离子水中，放入水浴中加热至８０℃， 种材料，尤其在短波光发射二极管（ＬＥＤｓ）和激光 然后搅拌３０ｍｉｎ使其混合均匀；然后依次加入５ 二极管（ＬＤｓ）方面［１］．ＩＩ－ＶＩ族半导体化合物已经 ｍＬ氯化铵（０．１ｍｏｌ／Ｌ）和５ｍＬ硫脲（０．２ｍｏｌ／Ｌ） 得到了很多重要的应用，但是获得可重复、稳定、可 溶液．使溶液始终保持在８０℃，反应２ｈ．取出溶液 靠的高质量和均匀的ＩＩ－ＶＩ族半导体薄膜和块材 过滤，用去离子水冲洗２次，再用乙醇冲洗２次以 去除有机物，然后在８０℃、空气气氛中干燥．然后 仍然是困难的，这些阻碍了它们的实际应用．电子 在５００℃、氮气气氛下退火１ｈ，使其从立方相或立 和光电子方面的应用，要求控制了缺陷和杂质的高 方和六方的混合相［７］转变为纯的六方相． 质量ＩＩ－ＶＩ族半导体化合物．因此，高质量和单晶 ＣｄＳ粉末的形貌以及表观特性利用场扫描电 ＩＩ－ＶＩ族半导体薄膜和块材的获取是很重要的． 镜（ＳＥＭ，ＪＳＭ６７００Ｆ）进行表征；结果特性利用Ｘ ＣｄＳ是一种重要的ＩＩ－ＶＩ族半导体化合物，在传感 射线衍射仪（ＸＲＤ，ＰａｎａｌｙｔｉｃａｌＸ’ＰｅｒｔＰｒｏ）表征，其 器、光催化、激光、场效应管、太阳能电池和ＬＥＤ方 工作时采用 ＣｕＫ 射线，对应波长为 ０．１５４０６ α 面的研究都有了长足的进步［１－３］．ＣｄＳ可以用多种 ｎｍ；吸收光谱通过ＵＶ－ｖｉｓ光谱仪（Ｓｈｉｍａｄｚｕ，ＵＶ 方法合成，例如模板辅助电化学沉积法、激光刻蚀