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只考虑弹性散射，散射前后的能量相等： 因此： 和弛豫时间近似比较得： 这个公式是我们讨论晶格散射和杂质散射对电阻率影响 的出发点。 电子和声子相互作用 从前面的分析中我们知道：要了解金属的电导率随温度 的变化，只需要考虑费米面附近的电子特性，即?(EF)。而在 一个理想晶格中，只需要考虑声子的散射。在分析电子-声子 散射的基础上，我们推出金属本征电导率的表达式，解释实 验规律。 处理思路是：在把电子系统和晶格系统分开考虑的绝热 近似的基础上，把电子和声子的相互作用看成微扰。 当不考虑晶格振动时，晶格电子的单电子势可以写成单 个离子势之和。 当存在晶格振动时，微扰项为： 在小位移假定（简谐近似）下： 为简单起见，只考虑简单格子，即只考虑存在声学声子， 并且把晶格振动引起的原子位移写成实数形式， Rn格点上的离子对平衡位置的偏离 这相当于将 VL 在 r-Rn 附近按 u(Rn) 作级数展开， 只保留一次项。 因此有： 这是一个含时的周期性微扰问题，微扰所导致的跃迁几率为： ?函数保证过程是能量守恒的。 上式分别表示放出或吸收一个声子的过程。 由于声子的能量和费米面上电子的能量小很多，因此散 射可以近似看成是弹性的。 散射矩阵元 其中应用布洛赫定理： 将被积函数的原点移动到Rn 正如我们前面多次讨论过的，仅当： 时上式求和才不等于零。 Gh=0 称为正常