电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课件第三章.pptVIP

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  • 2017-10-07 发布于广东
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电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课件第三章.ppt

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课件第三章

半导体二极管及基本电路 半导体的基本知识 半导体的共价键结构 本征半导体、空穴及其导电作用 电子空穴对 杂质半导体 P型半导体(空穴型半导体) PN结的形成及特性 PN结的形成 PN结的单向导电性 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 半导体二极管的参数 二极管基本电路分析 3. 折线模型(实际模型) 二极管电路分析 2.限幅电路 3.开关电路 例4:判别二极管是导通还是截止。 例5: 例6: 例7: 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V,求输出波形v0。 例8:画出理想二极管电路的传输特性(Vo~VI)。 例9:画出理想二极管电路的传输特性(Vo~VI)。 例11: 特殊二极管 例12: (7) 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 (2)扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 自学半导体器件型号命名方法 二极管基本电路分析 二极管模型 正向偏置时: 管压降为0,电阻也为0。 反向偏置时: 电流为0,电阻为∞。 当iD≥1mA时, vD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 1.静态

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