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加热器坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响.pdf
第35卷第11期 硅 酸 盐 通 报 V01．35No．1l
2016年11月 BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETY November，2016
mm单晶硅
加热器／坩埚相对位置对拙00
生长过程中温度场和晶体质量的影响
高忙忙1，朱博2，李进1，景华玉1，董法运1，梁森1，李海波
(1．宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室，银川750021；2．广西大学电气工程学院，南宁530004)
摘要：采用CGSim晶体生长软件，对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体
中温度梯度和氧含量的影响。结果表明，随加热器的上移，功率消耗略有降低，熔体内的温度梯度逐渐下降，在高
埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率；同时，固液界面也趋于平坦，晶体中的温度梯度有所减少，从而可以有
效地抑制缺陷的形成。另外，晶体中的氧含量也有一定程度的下降。可以得出，在晶体等径生长初期，提高加热器
的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一。
关键词：单晶硅；温度梯度；固液界面；氧含量
中图分类号：TQl27 文献标识码：A
InfluenceofHeater／CruciblePosition
ontheThermalFieldand
inthe of mm
CrystalQualityPreparation Silicon稍th越00
SingleCrystal
甜0 B02，LIJinl，JING Hai．bo
Mang-man91，ZHU Hua．yul，DONGFa—yunl，LIANGSenl，LI
ofPhotovoltaic
(1．NingxiaKeyLaboratory Materials，Ningxia
University，Yinchuan750021，China；
ofElectrical
2，College Engineering，GuangxiUniversity，Nanning530004，China)
softwarewas to theinfluence
Abstract：CGSimemployed ofheater onthehot—zone
analyze position filed，
interface and concentrationinthe siliconforthe
solid—liquid shape，temperaturegradient
oxygen grown
industrial—scaleCZfurnace．Theresultsshow heater
that，as
elevatingposition，thepowerconsumption
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