图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响.pdfVIP

· 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外廷(MBE)生长的影响／李宝吉等 ·31 李宝吉1’2，吴渊渊2，陆书龙2，张继军1 (1上海大学材料科学与工程学院，上海200444；2中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所， 纳米器件及先进材料研究部，苏州215123) 摘要 研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明，在相同生长条件下，用图 形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景栽流子浓度及较强的发光强度。 通过透射电子显微镜(TEM)观察，发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重，而采用图形化衬底生长的 InGaN原子排列清晰规则。这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式，这种生长模式可有效地抑制穿 透位错在GaN材料体系中的纵向延伸，降低GaN缓冲层中的位错密度，进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V 型缺陷的产生。 关键词 InGaN图形化衬底分子束外延晶体质量 中图分类号：TN304．2文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．16．007 EffectsofPatternedSubstrateon of IndiumContentInGaN QualityHigh MolecularBeam Grown by Epitaxy(MBE) LI Ba@1”，WUYuanyuan2，LUShulon92，ZHANGJijunl and ofNanodevices (1 SchoolofMaterialsScience 200444；2 Engineering，ShanghaiUniveristy，ShanghaiKeyLaboratory of and InstituteofNano-TechandNano-Bionics，ChineseSciences，Suzhou215123) Applications，Suzhou Academy AbstractInGaNfilmswere on substrateandcommonsubstrate molecular grownpattemed respectivelyby beam and werecharacterizedresolutiondiffraction(HR- epitaxy(MBE)．Structuralopticalproperties byhigh X-ray electron atomic test，transmission XRD)，room-temperaturephotoluminescence(PL)，Hallmicroscopy(TEM)and force w