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坩埚下降法生长太阳能电池用砷化镓晶体.pdf
{Ig43卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．43No．4
兰Q!兰生兰旦 』Q型垦堕垒垦Q!!!盟!坚垦里垦垦曼!璺坠!叁：——：：：：垒型里』坚!!：!：：
坩埚下降法生长太阳能电池用砷化镓晶体
金敏1，徐家跃1，何庆波2
(1．上海应用技术学院材料科学与工程学院，上海201418；2．昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司，昆山215300)
摘要：采用坩埚下降法进行了太阳能电池用砷化镓晶体的生长研究。掺杂硅含量为万分之五可使砷化镓晶体的载
流子浓度达到太阳能电池使用要求。孪晶是坩埚下降法生长砷化镓晶体遇到的主要缺陷。通过调节坩埚下降速
度以及优化热场环境等手段，成功的获得了一根直径2英寸、长度约140mm、成晶率接近100％的砷化镓单晶。晶
体整体平均位错密度小于1000／cm2，载流子浓度在1．4—2．1×10”／cm3之间。
关键词：坩埚下降法；太阳能电池；砷化镓晶体；孪晶
中图分类号：078 文献标识码：A
of for Cells Method
GrowthGaAs Solar
CrystalUsing byBridgman
JINMinl，XU
Jia．yuel，昭Qing．b02
ofMaterialsScienceand Institute
ofTechnology，Shanghai201418，China；
(1．School Engineering，Shanghai
2，Kunshan Gallium Material
Din番ing Crystal Co．Ltd，Kunshan215300，China)
5December 8
(Received 2013，acceptedFebruary2014)
results
ofGaAs thatforsolarcellwasstudied method。The
Abstract：The
growth crystal byBridgman
for the Si
indicatethecarrierconcentrationwouldfullfillthe solarcell as
requirement applicationdoped
concentrationis to isthe defectthatoften
up 0．05％．Twinningmajor happennedduringcrystalgrowth
with62inx140mmand WaSobtainedafterthe
process．GaAscrystal nearly100％crystallization growth
rateandthermalenvironmentis
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