坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能.pdfVIP

第41卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．4lN。．4 兰Q!兰生墨旦 』Q堕垦盟垒坠Q!璺!堕!旦兰旦g垦旦!墅￡叁堡 垒旦g坠壁!兰Q!三 坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 沈 军2 琦1，陈红兵1，王金浩1，蒋成勇1，潘建国1，徐 (1．新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地，宁波大学材料科学与工程研究所，宁波315211； 2．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海201800) 摘要：以高温固相反应合成cdwO。多晶为原料，采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整cdw0。晶体，就所生长 CdwO。晶体进行了闪烁发光性能的测试表征，包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、x射线 激发发射光谱、相对光产额以及1射线辐照硬度。结果表明，该单晶在可见光区具有良好的光学透过性，其光致发 ns；以csI：r11晶体为基准样品， nm左右，其光致发射衰减时间为842 光与x射线激发发射光的峰值波长位于475 7 md。 测得1射线激发发光的光产额相当于基准样品的51．5％～57．4％，在1射线辐照条件下其辐照硬度达10 关键词：钨酸镉；坩埚下降法；衰减时间；辐照硬度 中图分类号：078；0734 文献标识码：A of Grown Scintillation SingleCrystm by PropertyCam啪Tungstate Vertical TechIlique Brid舯an sHEN J流．埘，JlANG Jt矗 J泌n—g阻J，XU Q}，CHENHong-btn毒。WANG C}屺ng．’on誊．PAN 0fNovel ofMateIials B鹊e FunctionalMaterial蛐d Science，Institute Unive璐ity， (1．StateKey‰tory Pq)aration Instituteof 201800，china) ce捌【llics，chinesesciences，sh蛐glIai Ningbo31521l，china；2．shanghai Academy 30仉ce，n6er (船ce沁d 2011，∞唧Ied16却川2012) thesolid—state ast}lefeed CdW04 CdW04polycrystaLllinematerial，