半导体制程技术导论chapter7等离子体工艺.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子回旋共振(ECR) 射频偏压功率控制离子轰击能量 微波功率控制离子束流 磁场线圈控制等离子体位置和制程的均匀性 背面要有一个具有静电夹盘(E-chuck)的氦气冷却系统来控制晶圆温度 * ECR的应用 介电质化学气相沉积 所有的图案蚀刻制程 等离子体浸置型离子注入 * 概要 等离子体是n– = n+的游离气体 等离子体由中性原子(n),电子(e),和离子(i) 组成 离子化、激发—松弛和分解 离子轰击帮助蚀刻率的增加和达到非等向性蚀刻 光的放射可以使用来做为蚀刻终端点 平均自由程和压力有关 等离子体的离子总是轰击电极 * 概要 电容耦合型等离子体，增加射频功率同时增加离子束流和离子能量 低频射频功率提供离子更多的能量，引起较激烈的离子轰击 蚀刻制程比PECVD需要更多的离子轰击 低压下产生高密度等离子体源是希望达到的目标 ICP和ECR是两种用在IC制造的高密度等离子体系统 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 蚀刻制程使用等离子体的好处 非等向性蚀刻轮廓 高蚀刻速率 光学式终端点