如何向划片去离子水加CO2.docVIP

如何向划片去离子水加CO2 我们用DAD321划片，最近有些品种的芯片划片时清洗不干净，因此想加CO2试试。请问如何加？加多少？哪里有这样的设备？ 加ＣＯ２主要是防ＥＳＤ的,另外３００－５００的设置太小了，酸性太高了，小心切割的时候遇到Ｏ化物比较多，并且无保护层的产品，ＰＡＤ会腐蚀 加co2只能是防静电，和清洗没关系的，看看你们的DI water有没有问题，还有水流量大小。 首先确保所用的纯水质量,一般要求除掉盐分制成电阻率16M以上的水，要求高的需要18M以上，不含任何杂质的理论纯水电阻率在18.24M。水主要靠溶解在水中的盐离子导电，水越纯电阻率越高，导电性越差，高速冲击下越容易产生静电。* b6 q$ b0 ^! {7 v `0 s静电对于芯片加工的危害主要表现在两方面： 1是静电直接放电损伤芯片, 静电积累放电造成放电氧化或击穿;2是硅屑等微粒产生静电吸附造成芯片表面不容易清洗干净。3 _3 q! N. T u0 @1 o8 W! Q8 ]CO2加入纯水可降低纯水电阻率，防止静电产生。烘干后，CO2变成气体挥发掉，芯片表面保持纯净,但是CO2过量加入水中会产生酸性腐蚀，影响刀片寿命，因此必须严格控制CO2的加入量。8 L) Q: F# | D0 [一般切片过程，将水电阻率控制在0.5-1M，低于0.4容易腐蚀刀片，同时注意0.5的用气量是1.0的5倍,清洗时控制在0.2-0.5M。% }: T0 @; ?8 [) E 所以如何控制电阻率，是在保证效果的情况下尽量高,清洗电阻率通常控制在0.2-0.5，看效果也是电阻率设置越高越省,气纯度99.95以上，几十块一瓶，一般可以用半个月到1个月。$ I/ m! |- G% t: K8 L9 r2.水温对刀蛮有影响的吧，刀痕会有深浅；还有氧化问题。对沾污可能没有直接关系，搂住的温度和我们差不多，机器速度也差不多，不过水压和我们比好像低了点（记不清楚了）。5 z7 A/ m ?. q; [9 D* o u DI Water和CO2混合使用在DIe Saw制程。4 o/ M9 X3 ^0 u k7 R主要是降低温度，减少水分子表面张力，增加刀片的寿命！$ P I6 O% a+ Q: n3 _1 U0 x B2 j+ b7 Z我是Diamaflow产品的销售，它其实和Di Water,CO2一起使用！效果是比较理想的！1 V+ u, t7 K8 g- q 7 ^2 e- F! k5 m! f0 F??纯水高阻抗会引起的静电效应问题！加入CO2，可降低电阻率，同时也% ]??T- Y5 e. l6 M# [5 H会产生酸性。要根据实际情况来设置DI Water的水阻值！ 可以有效防止wafer表面硅屑沾污 ＋ＣＯ２主要是为了产品不受到或者少受到静电影响　其他也没什么大的作用，，其实不加也没什么问题，做好工作台接地，设备接地，人员ＥＳＤ防护装备等，对现在中国加工的９０％以上的产品没有任何影响，，: O/ j( i+ Z/ D0 ~9 |$ O, p- U6 ^. e6 j+ N1 KI7 G加大水压　　水流量　　调整好设备切割喷水角度．控制切割水温度．才是　最好　最省钱　最直接的解决8 @# k9 D O% n8 i G# T2 ~5 {% x: o1 f: [* W- N??N 切割的纯水电阻值多少才合适 请教大家切割的纯水电阻值多少才合适,是越大越好吗.我司的纯水电阻值达到14兆了，对晶圆切割和刀片有不良影响吗. 近期切割的园片有氧化现象,跟水的电阻值有关吗,还与什么有关? 产生氧化的原因可能是晶片上的水分没吹干净，不知道你们无尘车间的湿温管控如何？ 纯水电阻国家标准是不低于10MΩ.cm。有一些弱酸性，接近中性。2 y! M1 A: }: F是普通水通过一系列渗透后制成，目的是去除水中的金属离子等杂质。 一般切割的纯水要求〉10 （在未加入co2) 的结果，加入co2后才能去切割，阻值在0.2-1.0 左右为比较合适，你反映的问题有可能是在切割过程中，水量不足，导致硅粉沉积在铝垫上的结果，加上清洗机的清洗效果不好，所以检查为氧化的问题，所以应该检查的问题较多，应该每一步骤进行分析及追查 我们切割的产品现在有时有轻微氧化,在水质4兆多是没氧化,在水质达到8兆多时又有氧化,切割时间也才20分钟啊,片厚500um.氧化的问题真的烦人啊,难道真的是与水有关吗.但问过搞品质的又说应是wafer在流线时没弄干净. 有的公司会用到发泡机,就是在die saw 前往DI water 中混入二氧化碳,以降低水阻值.6 r1 N- Q6 t u) R2 k. ^未加入二氧化碳的DI water 一般要求水阻值大于10M欧姆,加入二氧化碳后的DI water 水阻值一般