AlN薄膜外延生长及光电性能研究（Epitaxial growth and photoelectric properties of AlN thin films）.pdfVIP

摘要 UV LED 高效率的紫外线（ ）发光二极管（ ）和激光二极管在节能固态照明，微电 子光刻技术，高密度数据存储，生物医学分析和环境科学等领域都有着极为广泛的应用 前景，它的这些优良特性也吸引着研究者的极大兴趣。GaN，AlGaN 基合金等III-V 族 氮化物半导体包括是目前开发紫外和深紫外发光二极管使用最广泛的材料。近来证明一 个基于氮化铝的LED 发光器件发出波长为210 nm 的深紫外光，已经证实来自于AlN 的 6.2 eV AlN LED 210 nm 带边发光（带隙为 ）。 基 的 发光是迄今报道的所有种类的发光 UV 二极管中最短波长，同时这也引起研究者对氮化铝基的深 光发射器件广泛兴趣。 c (111)MgO 采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在 面蓝宝石和 衬底 (0002)AlN XRD θ-2θ Φ 上外延单畴 薄膜。 和 扫描结果显示其关系为 (0002)[11-20]AlN//(111)[0-11]MgO 、(0002)[11-20]AlN//(0006)[01-10]sapphire 。XRD ω扫 描结果看出(111)MgO 衬底上AlN 外延膜的半高宽比蓝宝石衬底上小，晶体质量高。AFM 二维表面图显示MgO 衬底上薄膜表面为链接的六方凹坑，蓝宝石衬底薄膜表面表现为 MgO AlN 1.5 nm 0.64 nm KOH 分立的凸起。 和蓝宝石衬底上生长 的粗糙度分别为 和 。用 AlN N MgO 刻蚀已生长的 薄膜表面发现蓝宝石衬底上薄膜表现表现为 极性，而 衬底上 薄膜表现为Al 极性。光学透过谱表明AlN 薄膜具有很高的光学透过性。MgO 和蓝宝石 衬底上AlN 薄膜的光学帯隙为5.80 eV 和5.93 eV 。依据Urbach 的经验公式计算AlN/MgO 和AlN/sapphire 的E 0.27 eV 0.53 eV E N-polar AlN 值分别为 和 ，较大的 值显示了 薄 U U 膜拥有更多的非晶成分和缺陷或杂质。以上结果表明，Al-polar AlN 薄膜相对于N-polar AlN / 378 薄膜含有更少的杂质缺陷，具有更高的晶体质量。光致发光测试发现薄膜仅在 nm 3.27 eV N O 附近有一个荧光发出，对应的能量约为 。分析原因主要由 的缺陷 杂质 或反位缺陷等深能级跃迁辐射产生。 Si (0002)AlN 最优条件下，在 衬底上制备了单一取向