半导体物理学Chapter 2.ppt

半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗中的杂质能级 2.2 三－五族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 在实际应用的半导体材料中，总是存在偏离理想的情况。 缺陷的分类： 1）点缺陷； 2）线缺陷； 3）面缺陷。 1）原子并不是静止的； 2）半导体材料并不是纯净的； 3）晶格结构存在缺陷。 实践表明，极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理特性和化学特性产生决定性的影响，也严重影响半导体器件的质量。 由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入能级。 2.1 硅、锗中的杂质能级 Q： 当杂质进入半导体以后，分布在什么位置？ 以硅为例，在一个晶胞中包含8个硅原子，若近似把原子看成半径是r的圆球，那么这8个原子占据晶胞的百分数为： 1、替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子进入半导体硅以后，只能以两种方式存在。 一种是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。 另一种是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。 填隙式原子 原子较小，如Li 替代式原子 大小相当，价电子壳层结构比较接近。 2、施主杂质 施主能级 n型半导体 3、受主杂质 受主能级 p型半导体 4、浅能级杂质电离能的简单计算 类氢模型 氢原子中电子的能量 填空： 电子被施主杂质束缚时的能量比导带底Ec（ ）； 被施主杂质束缚的（ ）的能量状态称为（ ）。 空穴被受主杂质束缚时的能量比价带顶Ev（ ）； 被受主杂质束缚的（ ）的能量状态称为（ ）。 5、杂质的补偿作用 (1) (2) 6、深能级杂质 除了三、五族元素在硅、锗禁带中产生浅能级以外，其他族元素在硅、锗中的情况比较复杂。 （1）非三、五族在禁带中产生的杂质能级距能带较远，这种杂质能级为深能级。 （2）这些深能级杂质可以发生多次电离，每一次电离相应地有一个能级。 I族元素铜、银、金在锗中均产生3个受主能级，其中金还产生1个施主能级；在硅中，铜产生3个受主，银和金各产生1个受主和1个施主； 二族元素锌、镉、汞在硅、锗中均产生2个受主，其中汞在硅中还产生2个施主； 六族元素硫、硒、碲在锗中各产生2个施主。 在硅中，硫产生3个施主，碲产生2个施主。 金在锗中的能级 2.2 三－五族化合物中的杂质能级 和硅、锗一样，当杂质进入三－五族化合物中，仍然是间隙式杂质和替位式杂质，不过具体情况更为复杂些。 杂质既可以取代三族元素，也可以取代五族元素。 按周期表来分类讨论： I族元素，一般引入受主能级； 二族元素，镁、锌、镉、汞等，有取代三族元素成为受主杂质的倾向； 三族或五族杂质，一般不引入能级。但在某些化合物中，引入等电子陷阱； 四族元素，起施主或受主作用，与掺杂浓度与掺杂时外界条件有关； 六族元素，硫、硒、碲常取代五族元素，表现 为施主杂质。 2.3 缺陷、位错能级 1.点缺陷 空位 弗仑克尔缺陷 肖特基缺陷 正离子空位 负离子空位 替位原子 2、位错