半导体工艺原理---硅外延制备工艺(2013.3.25)(贵州大学).ppt

* 外延层的内部缺陷 层错 层错形貌分为单线，开口，正三角形，套叠三角形和其他组态 位错 外延层中的位错主要是由于原衬底位错延伸引入的 另外可能是由于掺杂和异质外延时，由于异类原子半径的差 异或两种材料晶格参数差异引入内应力。 例如在Si中掺B,P,它们的半径比Si小，它们占据硅的位置时，Si的点阵会发生收缩；当掺入AL,Sb等比Si半径大的原子时，Si点阵会发生扩张。也就是产生晶格点阵的失配。 层错 产生原因：衬底表面有损伤，或不干净 减少层错的方法：用HCL腐蚀衬底表面去除损伤层及清洁硅片表面 表面颗粒:与外延系统及衬底的清洁度有关，下图是用表面沾污仪测试结果 表面呈乳凸状小丘：产生原因与衬底取向有关，与(111)取向偏离小于1o (111)硅片的滑移线 (111)硅片的滑移线位错呈星形分布 产生原因： 硅片在热处理过程中，受热不均匀，在1200oC当中心和边缘的温差，大于25oC时，其屈应力大于1000PSI，易产生滑移线，它会严重地影响成品率。感应加热及大直径硅片温差大，易产生滑移线。 外延后埋层图形变粗糙与外延的气氛及埋尽的表面状变有关 外延系统有轻微漏气外延后有轻微白雾下图是经铬酸腐蚀后看到的层错和雾 类似三角形缺陷 原因：表面氧化层没去净 * 晶格点阵的失配会使外延片呈现弯曲。当弯曲程度超过弹性范围，为缓和内应力就会出现位错，称之为失配位错。 为了消除应力，采用应力补偿法，即在外延或扩散时，同时引入两种杂质，使它们产生的应变正好相反。当两种杂质原子掺入的比例适当时，可以使应力相互得到补偿，减少或避免晶格畸变。从而消除失配位错的产生。这种方法称为“双掺杂技术”。 一、硅外延生长的基本原理和影响因素 采用不同的硅源其外延生长原理大致相同，以研究得较充分的sicl4为源的水平系统外延生长为例，生长时要考虑下列影响因素。 1．SiCl4浓度对生长速率的影响 2．温度对生长速率的影响 3．气流速度对生长速率的影响 4．衬底晶向的影响 硅气相外延生长装置原理图 反应原理： SiCl4（气体）+2H2 （气体） ? Si+4HCl （气体） 同时伴随着另一个竞争反应： SiCl4 （气体） +Si ? SiCl2 （气体） 因此，如果四氯化硅浓度太高，将发生硅的腐蚀而不是硅的生长。 生长过程： 硅外延生长动力学过程： 1、气-固表面复相化学反应模型 在接近基座表面的流体中出现一个流体速度受到干扰而变化的薄层，而在薄层外的流速不受影响，称此薄层为边界层，也叫附面层，停滞层，滞流层。 此模型认为硅外延生长包括下列步骤: 1.反应物气体混合向反应区输运 2.反应物穿过边界层向衬底表面迁移 3.反应物分子被吸附在高温衬底表面上 4.在衬底表面发生化学反应，生成生长晶体的原子和气体副产物，原子进入晶格格点位置形成晶格点阵，实现晶体生长 5.副产物气体从表面脱附并穿过边界层向主气流中扩散 6.气体副产物和未反应的反应物，离开反应区被排出系统 2、气相均质反应模型  这个模型认为： 外延生长反应不是在固－气界面上，而是在距衬底表面几微米的空间中发生。反应生成的原子或原子团再转移到衬底表面上完成晶体生长。 1、生长速率与温度的关系 式中，Cg 代表主气流中的反应剂浓度，N 代表硅的原子密度除以反应气体分子中的硅原子数。 外延膜的生长速率 R 可表为 硅外延生长的主要影响因素 当温度较低时，hg ks ，生长速率由表面反应速率常数 ks 决定 ；当温度较高时，hg ks ，生长速率由气相质量转移系数 hg 决定。 温度较低时,生长速率随温度升高呈指数规律上升。 较高温度区,生长速率随温度变化较平缓。 实际生产中外延温度在高温区，生长速率由气相质量转移系数 hg 决定，这时温度的微小变动不会对生长速率造成显著的影响，因此外延对温度控制精度的要求不是太高。 在高温区进行外延生长时，到达硅片表面的硅原子有足够的能量和迁移能力，可在硅片表面运动而到达晶格位置，从而外延出单晶薄膜。温度太低或太高，都会形成多晶薄膜。温度太高还会导致杂质的扩散加重。 在一般的工艺条件下，外延生长速率约为 1 ?m /min。 可以利用 SiH4 热分解法来进行硅的气相外延。但这种方法虽然温度较低 ，却因 SiH4 会在气相中成核而产生较多的颗粒 ，除非使用超高真空，否则外延层的质量很差。 硅的气相外延多利用硅氯化物 SiH