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超低功耗集成电路技术_张兴
中国科学: 信息科学 2012 年 第42 卷 第12 期: 1544–1558
评 述 中国科学院学部 科学与技术前沿论坛 微纳电子专刊
超低功耗集成电路技术
张兴 杜刚 王源 刘晓彦
北京大学微电子学研究院, 北京 100871
* 通信作者. E-mail: zhx@
收稿日期: 2012–08–13; 接受日期: 2012–09–30
国家重点基础研究发展计划(批准号: 2011CBA00600) 资助项目
摘要 集成电路技术遵循摩尔定律发展进入了纳米尺度, 功耗带来的挑战日益突出, 已经成为制约
集成电路发展的瓶颈问题. 微电子技术的发展已经进入了 “功耗限制” 的时代, 功耗成为集成电路设
计和制备中的核心问题. 降低功耗有可能替代原来提高集成度、缩小器件尺寸成为未来集成电路发
展的驱动力. 低功耗集成电路的实现是一项综合的工程, 需要同时考虑器件、电路和系统的功耗优
化, 需要在性能和功耗之间进行折中. 随着集成电路进入纳米尺度, 适于低功耗应用的CMOS 技术平
台由于MOSFET 泄漏导致的电流增大、寄生效应严重等问题愈发突出. 目前的许多低功耗技术成为
了“治标” 的解决方案, 难以从根本上解决集成电路发展中遇到的 “功耗限制” 问题, 一定程度上影
响了纳米尺度集成电路的可持续发展. 本文在深入分析影响集成电路功耗的各个方面的基础上, 介
绍了超低功耗集成电路的工艺、器件结构以及设计技术.
关键词 微电子器件 集成电路设计 集成电路工艺 功耗分析 低功耗
引言
近 年来 硅基集成电路技术一直沿着摩尔定律高速发展 根据 年国际半导体技术发展蓝
图 的预测 目前这种发展趋势至少可以持续到 年 其器件的特征尺寸将缩小至 [1]
因此 在未来的较长一段时期内 硅基集成电路仍将是微电子技术的主流 传统集成电路设计 以更小
的面积、更快的速度完成运算任务是不懈努力的目标 然而随着硅基集成电路技术发展到纳米尺度
面积与时间已经不再是集成电路设计中需要考虑的唯一目标 功耗带来的挑战日益突出 已经成为制
[23]
约集成电路发展的瓶颈问题 在诸如手持和便携设备等产品中 功耗指标甚至成为第一要素 例
如 苹果公司 手机的双核 处理器和三星公司 手机的四核 处理
器均基于 多核、超低功耗架构 分别使用 和 工艺 主频为 和
这是由于一方面大多数便携式设备均采用电池供电 其核心集成电路的功耗成为决定其使
用时间的关键因素 这对集成电路设计提出了苛刻的功耗要求 另一方面 技术的发展使得所有
的处理部件集成到单个芯片成为可能 这些处理部件可以包括多个不同的处理器核 不同的功能模块
以及存储单元甚至模拟单元 如此众多的处理部件 其功耗会全部转化成热能 使芯片工作温度升高
加剧硅失效 导致可靠性下降 因此 微电子技术的发展已经进入了 功耗限制 的时代 功耗成为集
引用格式 张兴, 杜刚, 王源, 等. 超低功耗集成电路技术. 中国科学: 信息科学, 2012, 42: 1544–1558, doi: 10.1360/112012-513
中国科学: 信息科学 第 42 卷 第 12 期
VDD
Dynamic
charging current
In Out
Dynamic
short-circuit
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