场效应管和放大电路.ppt

第五章 场效应管放大电路 §5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 1. 结构和符号 2. 工作原理 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 3.输出特性曲线 4.转移特性曲线 5.1.2 N沟道耗尽型MOS管 5.1.2 沟道长度调制效应 沟道长度调制效应? ? MOSFET中,栅极下导电沟道预夹断后，若继续增大VDs，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使iD增大，这种效应称为沟道长度调制效应  各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 5.1.5 MOSFET的主要参数 场效应管的主要参数 场效应三极管的型号 几种常用的场效应三极管的主要参数见表 §5. 3 结型场效应管(Junction type Field Effect Transister) 5.3.2 工作原理 工作原理 工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 双极型和场效应型三极管的比较 场效应管输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 其中： 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id 变化量 由该式可得到场效应管的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id g s gmvgs vgs + - rds + - vds id d 因rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 可得到场效应管放大电路的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - Rg Rd * 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - Rg Rd (1)电压放大倍数 (2)输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 (3)输出电阻 R0=Rd * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ R 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： rds g s d gmvgs vgs + - + - v0 id vi + - R Rg Rd 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 2. 场效应管放大电路的微变等效电路 (1)电压放大倍数 (2)输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 (3)输出电阻 R0=Rd * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id ＋ － vi Cb2 ＋ Cb2 v0 ＋ ＋ Cb2 v0 ＋ ＋ R 首先将电容、电源短路得 到交流通路： 小信号模型： v0 + rds g s d gmvgs vgs + - id vi + - R Rg d g vgs + id gmvgs vi + - s rds R v0 Rg (1)电压放大倍数 取rds为无穷时： (2)输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 (3)输出电阻 R0=R//rds// gm 1 推 导 5.2.5 NMOS共漏极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * d g vgs + id gmvgs vi + - s rds R v0 Rg 输出电阻R0的计算： Rs vT iT R0= vT iT iR ir vgs=-vT iT=iR +ir -gmvgs 5.2.5 NMOS共漏极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * 例.Rg1=60K，Rg2=40K，Rd=15K