武汉理工大学2002至2012年研究生入学考试试题及答案.doc

武汉理工大学2011年研究生入学考试试题一、（分）立方是立方晶系，根据其晶胞图（图）回答下列问题：、画出晶胞在面上的投影图；在晶胞图上画出（）晶面和晶向（建立坐标系）；、何种离子做何种密堆积？晶胞中有哪几种空隙，空隙利用率分别是多少？何种离子填何种空隙？、晶胞分子数是多少？结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；、结构中电价是否饱和，为什么？、对于大多数晶体来说，结合力的性质是属于综合性的，请指出键的键性并说明原因；、像立方这类晶体（质点的堆积可以近似地认为是刚性球体的堆积，服从最紧密堆积原理），如何揭示、理解晶体的微观结构及其与晶体性质的关系？图立方晶胞结构图成核速率和生长速率与过冷度的关系二、（分）图为晶体的成核速率和生长速率与过冷度的关系，请根据图解释玻璃形成的动力学条件。并针对成核速率解释之间的关系，说明为何会有极值的出现。三、（分）比较，和的表面能大小，当用和依次置换中的和离子时，相应的表面能和硬度及表面双电层的厚度该如何变化，为什么？四、（分）在－二元系中，组元具有体心立方结构，熔点为0℃；组元B具有面心立方结构，熔点为800℃。在500℃存在一个恒温转变：设室温下、二个组元互不溶解，试回答：、绘出概略的相图。、指出、固溶体的晶体结构类型。五、（分）根据图所示－－三元系统投影图回答下列问题：、指出化合物的性质。、用箭头标出各界线的温度下降方向及性质。、指出各无变量点的性质，并写出其平衡关系。、分析熔体M在平衡条件下的冷却结晶过程（用路径图表示）。、图中哪个组成的三元混合物熔点最低？并用线段比表示出其组成。图－－三元系统相图六、（分）试讨论从室温到熔融温度范围内，氯化锌添加剂（）对单晶中所有离子（和）扩散能力的影响。在什么温度范围内的本征扩散占优势？（的缺陷形成能）七、（分）已知铜的熔点＝℃，熔化热△＝，固液界面能＝－，铜为面心立方晶体，点阵常数＝。、当液态金属铜过冷至℃进行均态形核时，求临界晶核半径和每个临界晶核的原子数（设晶核为球形）。、若为非均态形核，求临界球冠的原子数。（设形成球冠的高度为＝，球冠体积，为球冠半径）八、（分）实践证明，少量添加物常会明显地改变烧结速度，其中原因之一可能是因为添加物与烧结物形成固溶体。为什么与烧结物能生成固溶体的添加物能促进烧结？在烧结中，通常加入少量或促进烧结。当加入时，烧结温度可以更低。请解释原因（用缺陷方程来表示）。九、（分）和反应制备时，预先在界面上埋入标志物然后让其进行反应。已知，。、如果反应是由和互扩散进行的，而氧离子不发生迁移，标志物的位置将如何变化？、当只有向扩散时，情况又如何？、假设热力学条件允许，在哪些情况下标志物将向移动？（至少答出一种）十、（分）对于型离子晶体（大球为离子，价），由于热起伏可能产生如图所示的种缺陷，请指出这种缺陷分别是何种缺陷，各自的特征是什么？写出缺陷反应方程式。（）图热缺陷产生示意图武汉理工大学2010年研究生入学考试试题一、基本概念（分）空间利用率和空隙填充率；位错滑移和位错爬移；玻璃网络形成体和玻璃网络外体；穿晶断裂和蠕变断裂；应力腐蚀和晶间腐蚀；初次在结晶和二次在结晶；均态核化和非均态核化；矿化剂。二、作图题（分）在面心立方晶胞中标示出质点以。。。规律重复的堆积方式。（分）画出面心立方晶胞中质点在（）晶面上的投影图。（分）三、绿宝石上半个晶胞在（）面上的投影图如图所示，整个晶胞的结构按照标高处的镜面经反映即可得到。根据图回答下列问题：（分）绿宝石的硅氧比为多少？硅氧四面体组成的是什么结构？（分）和分别与周边什么标高的几个氧配位？构成的配位多面体是什么？它们之间又是如何连接的？（分）用的连接规则说明标高的氧电价是否平衡？（分）根据结构说明绿宝石热膨胀系数不高、当半径小的存在时，在直流电场下具有显著离子电导的原因。（分）图绿宝石晶胞四、三元系统相图如图所示。根据相图回答下列问题：（分）在图上划分副三角形、用剪头表示界线上温度下降方向方向及界线的性质；（分）判断化合物的性质；（分）写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；（分）写出熔体、在完全平衡冷却下的冷却结晶过程；（分）第题图五、假设自组成为和两种熔体中，均态成核析出石英相。（分）设形成晶核为球形，两者相变时除去界面能外单位体积自由焓Δ的变化相同，请推导熔体结晶时的核化势垒和临界晶核半径；（分）考虑到两熔体组成及表面张力的差异，试比较两者的临界晶核半径的大小并解释其原因；（分）假设新相的晶核形成后，新相长大的速率均取决于溶质原子在熔体中的扩散，在外界条件均相同的情况下，试比较两种熔体石英相的长大速率，并解释其原因；（分）六、晶体结构缺陷（分）形成肖特基缺陷，写出其缺陷反应方程式，并计算单位晶胞的肖特基缺陷数（已知的密度是克厘米，其晶格参数是）；（分）溶入中形成空位固溶体，