硅材料科学与技术1-2012.10.08.pptVIP

硅材料科学与技术 主讲：郝亚非 自我介绍 姓名：郝亚非 电话：652351 邮箱：haoyafei@zjnu.cn 办公室：20-21-311 半导体材料 半导体材料是信息产业的基础，是微电子、光电子和太阳能等工业的基础，对国家工业、科技和国防的发展具有至关重要的作用。 半导体材料（semiconductor material） 是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性： 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体 半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下并不导电，但是这只是绝对温度为零时的情况。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带中的电子很少，所以导电性很差。半导体禁带宽度比较小，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力，这是绝缘体和半导体的主要区别。 半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电，这是与金属导体的最大差别。 室温下，金刚石的禁带宽度为6～7eV，它是绝缘体；硅为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，所以它们都是半导体。 石墨稀 石墨烯（Graphene）是一种由碳原子 构成的单层片状结构的新材料，是世上 最薄却也是最坚硬的纳米材料 。 石墨烯有极高的电子迁移率，很有可能用于切换速度更快的新一代电子元件。但是纯石墨烯本身是零能隙的半导体，不能直接作为高效的室温场效应晶体管。如何在保持石墨烯高迁移率的同时，打开一个可控的能隙是目前石墨烯领域最重要的课题之一。? 北京大学解决方案： （1）把石墨烯夹在平面的六角BN片之间，足可以打开石墨烯0.16 eV的能隙。对该三明治结构加上垂直电场，能隙可以进一步提高到0.34 eV。 （2）由蜂窝状的硅原子构成的单层硅烯（继石墨烯之后近年来新发现的一种二维单原子晶体）可以无需借助BN夹层，直接被垂直的电场打开能隙，同时高的载流子迁移率也能够保持 周期表中与半导体相关元素 硅是被研究最多且技术最成熟的半导体元素 在二氧化硅及硅酸盐中的硅含量占地表的 25％以上，仅次于氧 硅器件在室温下有较佳的性能，且高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生 经济上的考虑，可用于制造器件等级的硅材料，远比其他半导体材料价格低廉 表面易纯化，形成本征二氧化硅层 二氧化硅层在半导体器件中起着重要作用： 1. 对杂质扩散起掩蔽作用； 2. 对器件的表面保护和钝化作用 3. 用作MOS器件的绝缘栅材料等 4. 用于器件的绝缘隔离层 硅的分布 硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％， 在自然界中是没有游离态的硅 主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。 硅的化学性质： 原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素。 晶体硅为钢灰色，密度2.4 g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。 化学性质稳定 常温下，只与强碱、氟化氢、氟气反应 高温下，较活泼 表面易纯化，形成本征二氧化硅层 二氧化硅层在半导体器件中起着重要作用： 1. 对杂质扩散起掩蔽作用； 2. 对器件的表面保护和钝化作用 3. 用于器件的绝缘隔离层 4. 用作MOS器件的绝缘栅材料等 硅的用途 硅可用来制造集成电路、晶体管等半导体器件 硅的用途 用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维，激光在玻璃纤维的通路里，无数次的全反射向前传输，代替了笨重的电缆。 光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话，它还不受电、磁干扰，不怕窃听，具有高度的保密性。 硅的制取 工业上用石英,焦炭,氢气,氯气,制取高纯硅 SiO2+3C===SiC+2CO  SiC+4Cl2===SiCl4+CCl4  SiCl4+2H2===Si+4HCl 锗在地壳中含量约为2×10-4%，但分布极为分散，常归于稀有元素； 1. 在煤和烟灰中； 2. 与金属硫化物共生； 3. 锗矿石 锗的制取 锗来源稀少，通常先将各种锗废料氯化成四氯化锗； 制取的四氯化锗经过精馏，萃取等提纯 水解生成二氧化锗；用氢气还原成高纯锗 进一步区熔提纯成高纯锗 本课程的任务 科学即有关研究客观事物存在及其相关规律的学说。 技术是人类为实现社会需要而创造和发展起来的手段、方法和技能的总和。 本课程主要任务是： （1）了解有关硅材料的性